Infineon IPP60R600E6

Конечно, вот подробное описание силового MOSFET транзистора Infineon IPP60R600E6, включая его технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

Infineon IPP60R600E6 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой Superjunction technology (CoolMOS™ E6). Этот транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS) и других силовых приложениях, где критически важны высокий КПД и надежность.

Ключевые особенности и преимущества серии E6:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость, что повышает общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что способствует уменьшению габаритов пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Высокая надежность и стойкость к лавинному пробою: Технология E6 обладает отличной устойчивостью к динамическим нагрузкам и перегрузкам.
• Оптимизированный внутренний диод (Body Diode): Обладает хорошими характеристиками обратного восстановления (reverse recovery), что снижает потери и помехи в схемах с индуктивной нагрузкой.
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает потери в драйвере.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Корректоры коэффициента мощности (PFC)
• Инверторы и приводы двигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Телекоммуникационные системы электропитания

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | CoolMOS™ E6 | | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Структура | Superjunction (SJ) | | | Корпус | TO-220 | Полностью изолированный (Fully Isolated) | | Полярность корпуса | Single | | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 600 В | | | Постоянный ток стока (ID) | 6.5 А | При Tc = 100°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.6 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 3.25 А | | | 0.75 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 6.5 А | | Затвор-Исток напряжение (VGS) | ± 30 В (макс.) | | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Общий заряд затвора (Qg) | 18 нКл (тип.) | При VDS = 480 В, ID = 6.5 А | | Заряд затвора-истока (Qgs) | 4.5 нКл (тип.) | | | Заряд затвора-стока (Qgd) | 5.0 нКл (тип.) | | | Время включения (td(on) / tr) | 8 нс / 40 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) / tf) | 40 нс / 25 нс (тип.) | | | Энергия лавинного пробоя (EAS) | 240 мДж | | | Макс. температура перехода (Tj) | +175 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор поставляется под разными парт-номерами в зависимости от упаковки (на блинах или в коробках). Электрические параметры у всех идентичны.

• IPP60R600E6XKSA1 - Стандартный парт-номер для заказа.
• SPP60R600E6 - Альтернативное обозначение.

Прямые аналоги и совместимые модели (Cross-Reference)

При поиске замены важно сверять не только основные параметры (напряжение, ток, RDS(on)), но и динамические характеристики (заряды, скорость переключения), а также корпус.

Прямые аналоги от других производителей (с похожими характеристиками):

• STMicroelectronics: STP6N60K5, STP8N60K5 (серия K5 Super-Junction)
• ON Semiconductor: FCP6N60NT, FCP11N60NT (серия SuperFET II)
• Fairchild/ON Semi: FCP6N60, FQPF6N60C
• Vishay/Siliconix: SPP06N60C3, SPP10N60C3
• IR (International Rectifier): IRFB6N60A (менее современная технология, но по напряжению и току подходит)

Важные замечания по совместимости:

1. Не является прямым аналогом для IPP60R060C7 / IPP60R099C6 / IPP60R125C7 и т.д. Цифры после "R" обозначают сопротивление в миллиомах. Модели с цифрой 600 (0.6 Ом) и модели с цифрой 060 (0.06 Ом) — это транзисторы разной мощности и разного тока. Замена на модель с другим RDS(on) без перерасчета схемы недопустима.
2. Внутри семейства CoolMOS™: Модель IPP60R600E6 можно заменить на более новые или старые версии с аналогичными ключевыми параметрами, например, из серии C6 или CE, если они имеют схожие RDS(on), VDS и динамические характеристики. Но всегда лучше сверяться с даташитами.
3. Перед заменой обязательно проверяйте распиновку корпуса и характеристики внутреннего диода, особенно если работа ведется в жестких режимах (например, в PFC или мостовых схемах).

Вывод:

Infineon IPP60R600E6 — это высококачественный и надежный силовой ключ для построения эффективных и компактных источников питания. При его замене следует обращать внимание на полное совпадение электрических параметров, а не только на напряжение и ток.