Infineon IRF1310NPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET транзистора Infineon IRF1310NPBF.

Описание

IRF1310NPBF — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET® от Infineon. Это ключевой компонент, предназначенный для эффективного управления высокими токами и напряжениями в импульсных схемах.

Основные особенности и области применения:

• Высокая мощность: Способен коммутировать очень большие токи (до 104А непрерывно) при напряжении до 100В, что делает его идеальным для силовых применений.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 4.5 мОм (макс. при Vgs=10В). Минимальные потери на проводимость означают высокий КПД и меньшее тепловыделение.
• Быстрое переключение: Технология HEXFET обеспечивает высокую скорость работы, что важно для импульсных источников питания (SMPS) и ШИМ-контроллеров.
• Повышенная надежность: Имеет широкую область безопасной работы (SOA), стойкость к лавинным пробоям и промышленный температурный диапазон.
• Корпус TO-220: Классический, удобный для монтажа корпус с возможностью установки на радиатор.

Типичные применения:

• Импульсные источники питания (SMPS), особенно в силовой части (низкая сторона или высокочастотный выпрямитель).
• Управление двигателями (H-мосты, приводы в промышленности, электромобили).
• DC-DC преобразователи высокой мощности.
• Инверторы и сварочное оборудование.
• Силовые ключи в контроллерах заряда АКБ.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

Параметр | Значение | Условия :--- | :--- | :--- Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | — Корпус | TO-220AB (изолированный монтажный фланец) | — Сток-Исток напряжение (Vdss) | 100 В | — Непрерывный ток стока (Id) | 104 А | При Tc=25°C Импульсный ток стока (Idm) | 390 А | — Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 4.5 мОм (макс.) | Vgs=10В, Id=52А Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | Id=250мкА Емкость затвора (Ciss) | ~4500 пФ | Vds=25В, Vgs=0В Время включения (tr) | ~110 нс | — Время выключения (tf) | ~75 нс | — Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 330 Вт | При Tc=25°C (с радиатором) Температура перехода (Tj) | -55 до +175 °C | —

Важное примечание: Реальные рабочие токи и мощность сильно зависят от условий теплоотвода (качество радиатора, обдув). Данные для Tc=25°C являются справочными. Для реального проекта необходим расчет теплового режима.

Парт-номера и Совместимые модели

Этот транзистор является частью большого семейства и имеет прямые аналоги от других производителей.

1. Прямые аналоги (кросс-референсы) с практически идентичными параметрами:

• International Rectifier (IR): IRF1310 (оригинальная версия от IR, позже поглощенной Infineon). IRF1310NPBF — это экологичный (Pb-Free) вариант.
• Vishay / Siliconix: SUD50N10-26 (очень близкие характеристики: 100В, 50А, 26 мОм — обратите внимание, здесь ток ниже). Более точный аналог по току и сопротивлению нужно искать в 80-100А сериях.
• Fairchild / ON Semiconductor: FDP100N10 (100В, 100А, 9.5 мОм). FDP088N10 (100В, 88А, 8.8 мОм). Требуется проверка распиновки и характеристик.
• STMicroelectronics: STP100N10F7 (100В, 100А, 7.0 мОм) — аналог с лучшим Rds(on).

2. Ключевые парт-номера и серии от Infineon для поиска:

• Основной номер: IRF1310NPBF (PBF = без свинца, соответствует RoHS).
• Альтернатива в том же семействе: IRF1320NPBF (более высокое напряжение - 200В, но немного выше Rds(on)=7.5 мОм).
• Более современные/эффективные замены от Infineon:
  • OptiMOS™: Серия с лучшими динамическими характеристиками и Rds(on). Например, IPP100N10NFD (100В, 100А, Rds(on) ~ 3.7 мОм) — прямая и более эффективная замена в новых разработках.
  • StrongIRFET™: Еще одна улучшенная линейка для высоконадежных применений.

3. Важные замечания по совместимости:

1. Перед заменой всегда проверяйте:

   • Напряжение Vdss (должно быть не меньше).
   • Ток Id (должно быть не меньше, с учетом теплового режима).
   • Сопротивление Rds(on) (желательно меньше или равно).
   • Емкость затвора и динамические характеристики (особенно важно для высокочастотных схем).
   • Распиновка (pinout) и тип корпуса (TO-220AB стандартен, но бывают исключения).
   • Характеристики встроенного обратного диода (если используется).

2. IRF1310NPBF — это "рабочая лошадка" с проверенной надежностью. Для новых проектов часто целесообразнее выбирать более современные серии (OptiMOS, StrongIRFET), так как они предлагают лучшую эффективность при сравнимой или меньшей стоимости.

Рекомендация: При поиске аналога или замены используйте специализированные ресурсы (например, сайты производителей, Octopart, LCSC) и сравнивайте не только ключевые параметры, но и даташиты, особенно графики зависимостей.