Infineon IRF3205PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET-транзистора Infineon IRF3205PBF.

Описание

IRF3205PBF — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET. Это один из самых популярных и широкоиспользуемых MOSFET в мире благодаря своему исключительному сочетанию цены, надежности и характеристик.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая мощность и ток: Предназначен для коммутации больших токов (до 110А импульсно) при относительно низком напряжении (55В).
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 8.0 мОм (максимум) при 10В на затворе. Это минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Быстрое переключение: Благодаря технологии HEXFET обеспечивает высокую скорость работы, что критично для импульсных схем.
• Высокая энергоэффективность: Низкие потери на проводимость и переключение.
• Широкий диапазон применений: Идеален для мощных DC-DC преобразователей, мотор-контроллеров, силовых ключей в источниках питания, автомобильной электронике, инверторах, соленоидных драйверах.

Корпус: TO-220AB. Позволяет легко устанавливать транзистор на радиатор для отвода тепла.

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | Enhancement Mode | | Структура | Планарный | | | Корпус | TO-220AB | Изолированный монтажный фланец | | Максимальное напряжение | Vds = 55 В | Сток-Исток | | Максимальный непрерывный ток | Id = 110 А | При Tc=25°C | | Импульсный ток (пиковый) | Idm = 390 А | | | Сопротивление открытого канала | Rds(on) = 8.0 мОм (макс.) | Vgs=10 В, Id=62 А | | | Rds(on) = 6.5 мОм (тип.) | Vgs=10 В, Id=62 А | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) = 2.0 - 4.0 В | Стандартный диапазон | | Общий заряд затвора (Qg) | 147 нКл (тип.) | Vgs=10 В, влияет на скорость переключения | | Максимальная рассеиваемая мощность | Pd = 200 Вт | При Tc=25°C (с радиатором) | | Температура перехода | Tj = -55 ... +175 °C | | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | |

Парт-номер (Part Number) и аналоги

Основной парт-номер:

• IRF3205PBF — Полное официальное обозначение от Infineon. Суффикс "PBF" означает "Lead-Free" (не содержит свинца, соответствует RoHS).

Прямые аналоги и совместимые модели (с проверкой даташита!):

1. От других производителей (функциональные аналоги): Эти модели имеют схожие или идентичные ключевые параметры (55В, ~110А, низкое Rds(on)) и корпус TO-220. Перед заменой всегда рекомендуется свериться с даташитом, особенно по распиновке и характеристикам диода.

• STMicroelectronics: STP110N8F6, STP110N7F6
• Vishay (Siliconix): SUD110N08-06 (очень близкий аналог), SIR872DP
• ON Semiconductor: FDP110N08 (прямой конкурент), NTMFS5C670N
• IXYS: IXFH110N08T
• Nexperia: PSMN5R5-110

2. Модели в других корпусах (от Infineon):

• TO-262 (D2PAK): IRF3205-EPBF — Тот же кристалл, в более мощном корпусе для поверхностного монтажа (SMD).
• DirectFET (очень компактный): IRF6721M — Аналог по току/сопротивлению, но в современном SMD-корпусе для высокоплотного монтажа.

3. Важные нюансы совместимости:

• IRF3205 vs IRFZ44N: IRFZ44N (55В, 49А, Rds(on)=22 мОм) НЕ является полным аналогом! Он слабее по току и имеет большее сопротивление. Замена возможна только в менее требовательных схемах с большим запасом по параметрам.
• Проверка распиновки: У большинства аналогов в TO-220 распиновка стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но бывают исключения.
• Диод обратного восстановления (Qrr): В высокочастотных схемах (например, DC-DC преобразователи) этот параметр может быть критичен. У разных производителей он может отличаться.

Рекомендация: Для прямой замены в большинстве любительских и промышленных проектов лучше всего подходят IRF3205PBF (Infineon), FDP110N08 (ON Semi) или SUD110N08-06 (Vishay). Всегда обращайте внимание на производителя при покупке, так как на рынке много контрафактной продукции.