Infineon IRF3708PBF

Конечно, вот подробное описание мощного MOSFET-транзистора Infineon IRF3708PBF, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon IRF3708PBF — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchFET. Этот транзистор предназначен для использования в схемах переключения высокой мощности и характеризуется очень низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление RDS(on): Всего 7.0 мОм при напряжении затвора 10 В. Это минимизирует потери мощности и нагрев при работе с большими токами, что повышает общий КПД системы.
• Высокая энергоэффективность: Благодаря низкому RDS(on) и малому зарядом затвора, транзистор идеально подходит для импульсных источников питания (SMPS), DC-DC преобразователей и систем управления двигателями, где важны минимальные потери.
• Управление логическим уровнем: Полностью открывается при напряжении на затворе всего 4.5 В (VGS(th) max = 2.35 В), что позволяет напрямую управлять им с выходов микроконтроллеров (логический уровень 5 В) без использования дополнительных драйверов.
• Быстрое переключение: Малая длительность фронтов импульсов позволяет эффективно работать на высоких частотах.
• Прочный и надежный: Корпус TO-220AB обеспечивает хороший отвод тепла, а компонент обладает высокой стойкостью к лавинным пробоям.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи (понижающие, повышающие)
• Системы управления двигателями (например, в авто- и мото-электронике)
• Цепи управления мощностью (силовые ключи)
• Стабилизаторы напряжения (VRM)

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Условия | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-Channel MOSFET | — | | Сток-Исток макс. напряжение (VDSS) | — | 30 | В | | Макс. непрерывный ток стока (ID) | при Tc = 25°C | 62 | А | | Макс. непрерывный ток стока (ID) | при Tc = 100°C | 40 | А | | Макс. импульсный ток стока (IDM) | — | 250 | А | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | VGS = 10 В, ID = 31 А | 7.0 | мОм | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | VGS = 4.5 В, ID = 20 А | 9.3 | мОм | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | VDS = VGS, ID = 250 мкА | min: 1.0, max: 2.35 | В | | Макс. напряжение затвор-исток (VGSS) | — | ±20 | В | | Общий заряд затвора (Qg) | VGS = 10 В, ID = 31 А | 68 | нКл | | Время включения (td(on) + tr) | — | 27 | нс | | Время выключения (td(off) + tf) | — | 44 | нс | | Мощность рассеяния (Ptot) | при Tc = 25°C | 55 | Вт | | Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC) | — | 1.67 | °C/Вт | | Диод сток-исток | — | Встроенный (Body-Diode) | — | | Прямое падение напряжения диода (VSD) | VGS = 0 В, IS = 31 А | 1.3 | В |

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом на конкретный аналог, особенно обращайте внимание на цоколевку (pinout), так как у некоторых производителей она может отличаться.

Прямые аналоги (Drop-in Replacements) и парт-номера:

Эти модели имеют схожие или идентичные характеристики и, как правило, совместимы по выводам.

• International Rectifier (часть Infineon): IRF3708PBF (оригинальный номер)
• Infineon: IRF3708ZPBF (аналог с улучшенными характеристиками диода)
• Vishay/Siliconix: SUD70N03-07P
• Fairchild/ON Semiconductor: FDB0700N30
• STMicroelectronics: STP70NF03L-08
• Texas Instruments: CSD17308Q3 (в корпусе SON, требует переразводки платы)

Близкие по характеристикам и функционально совместимые модели:

Эти транзисторы имеют схожие ключевые параметры (напряжение, ток, низкое RDS(on)) и могут быть использованы в тех же схемах, но требуют проверки на соответствие по запасу по току/напряжению и цоколевке.

• Infineon: IRF3808, IRLB3813, IRLB4132 (последние два — логического уровня)
• ON Semiconductor: NTMFS5C670N (в корпусе D2PAK, очень низкое RDS(on))
• Vishay: SQ3414EEV-T1_GE3
• STMicroelectronics: STL85N3LLH6

Рекомендация по замене:

1. Убедитесь, что напряжение VDSS и ток ID аналога не ниже, чем у исходной детали.
2. Проверьте значение RDS(on) при том же напряжении затвора, что используется в вашей схеме (особенно важно для работы от 4.5 В).
3. Внимательно сравните цоколевку (распиновку) корпуса.
4. Для критичных по времени переключения схем сравните заряды затвора (Qg) и внутренние емкости.