Infineon IRF9530NPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для полевого транзистора Infineon IRF9530NPBF.

Описание

IRF9530NPBF — это мощный P-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET. Он предназначен для коммутации значительных токов и напряжений в различных импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других силовых приложениях.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология HEXFET: Обеспечивает низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)), что приводит к малым потерям на проводимость и высокой эффективности.
• Высокая надежность: Промышленный стандарт качества, стойкость к лавинным пробоям и возможность работы в широком диапазоне температур.
• Быстрое переключение: Благодаря низким емкостям, транзистор может работать на высоких частотах.
• Прямая совместимость с МОП-структурами: Управление напряжением, что упрощает схемы управления.
• Планарная структура: Обеспечивает низкий уровень заряда переключения и высокую стабильность параметров.
• Корпус TO-220: Классический и удобный для монтажа корпус, позволяющий эффективно отводить тепло через радиатор.

Это надежный и проверенный временем компонент для силовой электроники.

Технические характеристики (Основные параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | P-Channel MOSFET (Logic Level) | | | Структура | HEXFET | | | Корпус | TO-220AB | | | Полярность | P-Channel | | | Максимальное напряжение
Сток-Исток (Vds) | -100 В | | | Максимальное напряжение
Затвор-Исток (Vgs) | ±20 В | Не превышать! | | Максимальный постоянный ток
(Id) при Tc=25°C | -12 А | | | Максимальный постоянный ток
(Id) при Tc=100°C | -7.3 А | | | Сопротивление открытого канала
(Rds(on)) | 0.30 Ом (макс.) | Vgs = -10 V, Id = -5.8 A | | | 0.20 Ом (тип.) | Vgs = -10 V, Id = -11 A | | Пороговое напряжение затвора
(Vgs(th)) | от -2 до -4 В | Vds = Vgs, Id = -250 мкA | | Максимальная рассеиваемая мощность
(Ptot) | 42 Вт | При Tc = 25°C | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Есть | | | Скорость переключения | Быстрое | |

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

IRF9530 является очень распространенным компонентом, и многие производители выпускают полные или функциональные аналоги.

1. Прямые аналоги (с идентичными параметрами и цоколевкой)

Эти модели имеют тот же корпус (TO-220) и максимально близкие электрические характеристики. Они являются прямыми заменами.

• STMicroelectronics: STP9530, STP95P03
• Vishay (Siliconix): SUP9530
• Fairchild (ON Semiconductor): FQP9530
• International Rectifier: IRF9530 (оригинальная модель до поглощения Infineon)

2. Функционально совместимые аналоги (с проверкой даташита!)

Эти транзисторы имеют схожие или лучшие ключевые параметры (напряжение, ток, Rds(on)) и могут быть использованы в большинстве схем, разработанных для IRF9530NPBF. Перед заменой всегда рекомендуется сверяться с даташитом, особенно по цоколевке (распиновке).

• Infineon:

  • IRF9Z34N: Vds = -55V, Id = -16A, Rds(on) = 0.1 Ом (Более новый, более эффективный)
  • IRF4905: Vds = -55V, Id = -74A, Rds(on) = 0.02 Ом (Мощнее по току)
  • IRF5210: Vds = -100V, Id = -8.8A, Rds(on) = 0.3 Ом (Очень близкий аналог)

• STMicroelectronics:

  • STP9P8F6: Vds = -60V, Id = -8.5A, Rds(on) = 0.13 Ом
  • STD12PF06: Vds = -60V, Id = -12A, Rds(on) = 0.18 Ом

• ON Semiconductor:

  • FQP27P06: Vds = -60V, Id = -10A, Rds(on) = 0.14 Ом

Важно: При замене обратите внимание на:

1. Распиновку корпуса (Pinout). У большинства аналогов в корпусе TO-220 она стандартная (1 - Затвор, 2 - Сток, 3 - Исток), но бывают исключения.
2. Напряжение затвор-исток (Vgs). Убедитесь, что ваша схема управления не подает больше ±20В.
3. Пороговое напряжение (Vgs(th)). Особенно если транзистор управляется от логических уровней (3.3В или 5В).

Для поиска аналогов на сайтах-агрегаторах (например, Octopart, LCSC, FindChips) можно использовать оригинальный парт-номер IRF9530NPBF.