Infineon IRFB52N15DPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, а также список парт-номеров и совместимых аналогов для мощного MOSFET-транзистора Infineon IRFB52N15DPBF.

Описание

Infineon IRFB52N15DPBF — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET. Он предназначен для применения в импульсных источниках питания, системах управления двигателями, DC-DC преобразователях и других силовых приложениях, где требуются высокие токи и напряжения.

Ключевые преимущества этого транзистора:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает меньшие потери на проводимость и высокий КПД.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов).
• Высокое напряжение сток-исток (Vdss): 150 В, что делает его подходящим для работы в сетях 48 В и выше.
• Высокий непрерывный ток (Id): 52 А.
• Улучшенная устойчивость к лавинному пробою: Технология обеспечивает надежность в условиях выбросов напряжения и индуктивных нагрузок.
• Планарная структура ячейки: Обеспечивает низкий заряд затвора и высокую стабильность.

Транзистор поставляется в корпусе TO-220, что удобно для монтажа как на печатную плату, так и на внешний теплоотвод с помощью изолирующей шайбы.

Технические характеристики (Electrical Characteristics при Tj = 25°C, если не указано иное)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" | V_DSS | 150 | В | | Непрерывный ток стока | I_D (при T_c=25°C) | 52 | А | | Непрерывный ток стока | I_D (при T_c=100°C) | 35 | А | | Сопротивление "Сток-Исток" в открытом состоянии | R_DS(on) (при V_GS=10 В) | 0.040 | Ом | | Сопротивление "Сток-Исток" в открытом состоянии | R_DS(on) (при V_GS=4.5 В) | 0.060 | Ом | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 | В | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" | V_GS | ±20 | В | | Общий заряд затвора | Q_g (тип.) | 75 | нКл | | Заряд затвора-истока | Q_gs | 12 | нКл | | Заряд затвора-стока ("проходной" заряд) | Q_gd | 32 | нКл | | Время включения | t_d(on) | 14 | нс | | Время выключения | t_d(off) | 48 | нс | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_D | 180 | Вт | | Температура перехода | T_J | от -55 до +175 | °C | | Корпус | - | TO-220 | - |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели / Аналоги

Этот транзистор может иметь различные парт-номера в зависимости от упаковки (на катушке, в антистатической ленте) или от конкретного дистрибьютора. Основной парт-номер — IRFB52N15DPBF.

Прямые аналоги и совместимые замены (Cross-Reference)

При поиске аналога необходимо в первую очередь обращать внимание на ключевые параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on) и корпус.

Ближайшие прямые аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics:

  • STP52N15DM2AG — очень близкий аналог по характеристикам (150В, 52А, Rds(on) ~ 0.040 Ом, TO-220).
  • STW52N15D2

• Vishay / Siliconix:

  • SUD52N15-50 (150В, 52А, Rds(on) ~ 0.050 Ом, TO-220).
  • SQJA52EP-T1_GE3

• ON Semiconductor (Fairchild):

  • FCP52N15 (150В, 52А, Rds(on) ~ 0.055 Ом, TO-220).

• IXYS (Littelfuse):

  • IXFH52N15P (150В, 52А, Rds(on) ~ 0.042 Ом, TO-247, но часто взаимозаменяем с TO-220 при схожих параметрах).

Важные замечания по замене:

1. Всегда проверяйте даташит! Перед заменой обязательно сверьтесь с технической документацией на аналог. Особое внимание уделите распиновке (pinout), так как в редких случаях она может отличаться.
2. Динамические характеристики. Для высокочастотных применений критически важно сравнивать заряды затвора (Q_g, Q_gd) и внутренние емкости, так как они влияют на скорость переключения и потери.
3. Корпус. Аналоги в корпусе TO-220 являются прямыми механическими заменами. Модели в корпусе TO-247 (как IXYS IXFH52N15P) часто имеют лучший тепловой режим, но требуют проверки совместимости по монтажу.

Вывод: Infineon IRFB52N15DPBF — это надежный и мощный MOSFET, который является отраслевым стандартом для многих применений. При его замене аналогами, перечисленными выше (особенно STP52N15DM2AG), вы получите схожие характеристики и производительность.