Infineon IRFB7734PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET транзистора Infineon IRFB7734PBF.

Описание

Infineon IRFB7734PBF — это N-канальный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии StrongIRFET™. Он оптимизирован для приложений, требующих высокой эффективности и высокой плотности мощности, таких как импульсные источники питания (SMPS), преобразователи DC-DC, приводы двигателей и системы управления батареями.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость, что повышает общий КПД системы и снижает тепловыделение.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss), что позволяет работать на высоких частотах.
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам (UIS): Надежная работа в жестких условиях и при коммутации индуктивных нагрузок.
• Соответствие стандарту RoHS: Не содержит свинца и других вредных веществ.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Технология | StrongIRFET™ | | | Корпус | TO-220 | Пластиковый, с возможностью крепления на радиатор | | Стандарт упаковки | Трубка (Tube) | | | Напряжение «сток-исток» (Vds) | 75 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Ток стока (Id) | 195 А при Tc=25°C | Непрерывный ток при заданной температуре корпуса. | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.8 мОм (макс.) при Vgs=10 В | Ключевой параметр для потерь на проводимость. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.35 - 4.0 В | Тип. 3.2 В | | Заряд затвора (Qg) | 170 нКл (тип.) при Vgs=10 В | Влияет на потери при переключении и требования к драйверу. | | Макс. напряжение «затвор-исток» (Vgs) | ±20 В | Абсолютный максимум. | | Рассеиваемая мощность (Pd) | 330 Вт при Tc=25°C | Зависит от условий теплоотвода. | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 1.9 мкКл (тип.) | Важно для топологий с обратным диодом (например, синхронный выпрямитель). | | Стойкость к лавинной энергии (Eas) | 1.5 Дж | Указывает на надежность при коммутации индуктивности. | | Температура хранения/перехода | от -55 до +175 °C | Максимальная температура p-n перехода: +175°C. |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Это транзисторы с максимально близкими или идентичными параметрами, часто от того же производителя (Infineon) или других вендоров, которые можно использовать как прямую замену без изменений в схеме.

• IRFB7734PBF (оригинальный номер в корпусе TO-220)
• IRFB7734 (основной коммерческий номер)
• IRFB7734-7P (возможный вариант упаковки или ревизии)
• AUIRFB7734 (аналог от Infineon, возможно, с другими тестами или упаковкой)
• IPP075N15N5 (очень близкий аналог от Infineon, 75В, 1.9 мОм, в корпусе TO-220)
• STP160N75F3 (аналог от STMicroelectronics, 75В, 160А, 2.3 мОм, TO-220)
• FDPF75N15T (аналог от ON Semiconductor/Fairchild, 75В, 75А, 1.9 мОм, TO-220)

Совместимые модели (для замены в схемах)

При поиске замены или аналога необходимо учитывать ключевые параметры: Vds, Id, Rds(on), Qg и корпус. Следующие модели имеют схожие характеристики и могут быть совместимы в многих приложениях, но требуется проверка по даташиту:

От Infineon:

• IRFB7430PBF / IRFB7430-7P (100В, 1.7 мОм) — если требуется чуть большее напряжение.
• IRFB7440PBF / IRFB7440-7P (100В, 1.4 мОм) — более низкое Rds(on), но другой пин-аут (D2PAK).
• IRFB7545PBF (60В, 1.5 мОм) — если достаточно 60В, но нужен меньший нагрев.
• IPP075N15N5 (уже упомянут как прямой аналог).

От других производителей:

• STMicroelectronics: STP160N75F3, STP140N75F3, STH160N75F3 (TO-247).
• Vishay/Siliconix: SIHF75N15E, SUP75N15-75.
• ON Semiconductor: FDPF75N15T, FDP047N10B (100В, но с другими параметрами).
• Toshiba: TK155N75V (в корпусе TO-3PF).

Важное примечание по замене:

1. Всегда сверяйте распиновку (pinout) корпусов, даже если они называются одинаково (например, TO-220 у разных производителей может отличаться).
2. Внимательно сравнивайте динамические характеристики (Ciss, Coss, Crss, Qgd), если ваше приложение работает на высоких частотах.
3. Проверяйте параметры внутреннего диода (trr, Qrr), если он используется в работе (например, в синхронных выпрямителях или мостовых схемах).
4. Рекомендуется изучать даташиты (Datasheet) как оригинальной детали, так и предполагаемой замены перед внедрением.

Итог: IRFB7734PBF — это высококачественный, мощный и эффективный MOSFET, широко используемый в промышленности. Благодаря популярности он имеет множество прямых аналогов и совместимых моделей от ведущих производителей.