Infineon IRFB7746PBF

Отличный выбор! IRFB7746PBF — это очень популярный и мощовый N-канальный MOSFET от Infineon Technologies, разработанный специально для требовательных приложений, где критичны низкое сопротивление в открытом состоянии и высокая эффективность.

Описание

IRFB7746PBF — это MOSFET, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Это поколение транзисторов характеризуется рекордно низким значением сопротивления канала в открытом состоянии (Rds(on)) для своего класса напряжения. Ключевая особенность этой модели — супернизкое Rds(on) всего 0.76 мОм при напряжении затвора 10 В.

Основные области применения:

• Силовая электроника: Выпрямители, синхронные выпрямители в источниках питания (SMPS).
• Управление двигателями: ШИМ-контроллеры для двигателей постоянного тока, сервоприводы, промышленные приводы.
• Автомобильная электроника: Системы управления электродвигателями (например, электроусилитель руля), соленоиды, твердотельные реле.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Инверторы и преобразователи (например, в солнечной энергетике).

Корпус: Выполнен в надежном и распространенном корпусе TO-220, который обеспечивает хороший отвод тепла через радиатор.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Logic Level) | Управляется относительно низким напряжением | | Структура | МОП-транзистор с вертикальным затвором (Power MOSFET) | | | Техпроцесс | OptiMOS 5 | | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 150 В | Основное рабочее напряжение | | Непрерывный ток стока (Id) при 25°C | 195 А | При идеальных условиях охлаждения | | Импульсный ток стока (Idm) | 780 А | | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | 0.76 мОм (макс.) | При Vgs = +10 В, Id = 120 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.35 - 4.0 В | Типично ~3.0 В | | Напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 В (макс.) | | | Общий заряд затвора (Qg) | 255 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.45 °C/Вт | От кристалла к корпусу | | Диод истока-стока | Встроенный (Body Diode) | Параметры: Ifsm = 390 A, Vsd = 1.4 В | | Рабочая температура (Tj) | от -55 до +175 °C | Максимум для перехода |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Здесь важно разделить понятия: полные аналоги (с идентичными характеристиками и корпусом) и функционально совместимые/конкурирующие модели (с похожими параметрами, иногда в других корпусах).

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon

Это та же самая микросхема, но в разных вариантах поставки или с незначительными отличиями в маркировке:

• IRFB7746PBF — основной номер, по которому идет поиск. "PBF" означает "Lead-Free" (не содержит свинца).
• IRFB7746 — базовая часть номера, может использоваться в поиске.
• Аналоги в других корпусах от Infineon (имеют схожие или лучшие параметры):
  • IRFB7446PBF — в корпусе TO-247. Имеет еще лучшее тепловое сопротивление (RthJC = 0.27 °C/Вт) при схожих электрических параметрах. Часто используется как более мощная/надежная альтернатива.
  • IPP040N10N5 (OptiMOS 5, 100 В, 0.77 мОм) — аналог по технологии, но на 100В.
  • IPP110N20N3 (OptiMOS 3, 200 В, 1.1 мОм) — если требуется больший запас по напряжению.

2. Функционально совместимые модели от других производителей

Эти модели имеют сопоставимые ключевые параметры (150-200В, очень низкое Rds(on), высокий ток) и могут использоваться в аналогичных схемах, но требуется проверка datasheet и цоколевки:

• STMicroelectronics:
  • STH200N10F7-6 (STripFET F7, 100 В, 0.65 мОм) — очень близкий и популярный конкурент.
  • STP160N75F5 (150 В, 0.8 мОм).
• Vishay / Siliconix:
  • SQJ410EP (150 В, 0.8 мОм в корпусе TO-220).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDPF51N25T (250 В, 0.51 мОм) — на большее напряжение.
• Texas Instruments:
  • CSD19536Q5A (100 В, 0.95 мОм в корпусе SON 5x6).

Важные замечания при замене:

1. Всегда сверяйтесь с Datasheet! Особое внимание уделите:
   • Распиновке (Pinout) корпуса.
   • Емкостным параметрам (Ciss, Coss, Crss) и заряду затвора (Qg) — они влияют на работу драйвера и частоту переключения.
   • Характеристикам встроенного диода (особенно в индуктивных нагрузках).
   • Зависимости Rds(on) от температуры (при нагреве сопротивление резко растет).
2. Корпус: Если в вашей конструкции критичен отвод тепла, рассмотрите замену на аналог в корпусе TO-247 (например, IRFB7446PBF), так как у него лучше тепловые характеристики.
3. Драйвер: Из-за низкого Rds(on) и высокой скорости переключения, для полноценной работы этого MOSFET необходим качественный драйвер затвора, способный быстро заряжать/разряжать значительную входную емкость (Ciss ~ 9000 пФ).

Вывод: IRFB7746PBF — это эталонный компонент для мощных низковольтных ключевых приложений. Его популярность обусловлена отличным соотношением цены, производительности и надежности. При поиске замены в первую очередь стоит рассматривать аналоги от Infineon в той же или улучшенной серии (OptiMOS), а затем уже проверять совместимость с моделями от STM, Vishay и других топовых производителей.