Infineon IRFD014PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного полевого транзистора Infineon IRFD014PBF.

Описание

IRFD014PBF — это N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор) в классическом корпусе TO-220AB. Это один из представителей легендарной серии HEXFET от International Rectifier (ныне Infineon), которая задала отраслевые стандарты для силовых ключей.

Основное назначение:

• Силовые ключи в импульсных источниках питания (SMPS).
• Управление двигателями (например, в приводах, вентиляторах, бытовой технике).
• Управление нагрузкой в силовой электронике (реле, соленоиды, лампы).
• Инверторы и преобразователи постоянного тока.

Ключевые особенности:

• Высокая скорость переключения благодаря технологии HEXFET, что снижает динамические потери.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) для минимизации потерь проводимости и нагрева.
• Высокая энергоэффективность и надежность.
• Повышенная стойкость к лавинным breakdown (dv/dt).
• Планарная структура с технологией обработки кремния, обеспечивающая низкий заряд затвора и высокую повторяемость параметров.

Технические характеристики (основные)

• Тип транзистора: N-канальный, MOSFET, обогащение.
• Корпус: TO-220AB (с возможностью крепления на радиатор).
• Полярность: N-Channel.
• Напряжение "Сток-Исток" (Vdss): 60 В
• Ток стока (Id) при 25°C: 4.5 А (непрерывный).
• Ток стока (Id) при 100°C: 2.8 А (с учетом нагрева).
• Импульсный ток стока (Idm): 18 А
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 0.3 Ом (макс.) при Vgs = 10 В.
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2 - 4 В (тип. 3 В).
• Заряд затвора (Qg): 9 нКл (тип.).
• Время включения (td(on) + tr): 22 нс (тип.).
• Время выключения (td(off) + tf): 24 нс (тип.).
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 Вт (при температуре корпуса 25°C, с радиатором).
• Диод истока-стока: Встроенный быстрый обратный (body) диод.

Парт-номера и прямые аналоги (Direct Replacements)

Это транзисторы с максимально близкими или идентичными параметрами и цоколевкой (pin-to-pin совместимость).

От Infineon / International Rectifier:

• IRFD014 (основной номер без суффикса упаковки)
• IRFD014PBF (PBF = безсвинцовые выводы, наиболее распространен)
• IRFD014PBF-ND (номер для поставщика Digi-Key)
• IRFD014PBF-AP (возможно, вариант упаковки)

Аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics: STP4NK60Z, STP4NK60ZFP (аналоги по току/напряжению, но могут отличаться динамическими параметрами).
• Fairchild/ON Semiconductor: FQP4N60 (более современный аналог с похожими характеристиками).
• Vishay/Siliconix: SiHF4N60E (аналогичный класс).
• В общем случае, можно искать MOSFET с параметрами: N-Ch, 60В, ~4.5А, Rds(on) ~0.3 Ом, TO-220.

Совместимые модели для замены (Cross-Reference)

При замене важно учитывать не только статические параметры (Vdss, Id), но и динамические (Rds(on), Qg, скорость переключения), особенно в высокочастотных схемах. Следующие модели находятся в том же классе и часто могут использоваться как функциональные замены, но требуется проверка по схеме:

• Более мощные/с лучшими параметрами (как upgrade):

  • IRFZ44N / IRFZ44NPBF: 55В, 49А, Rds(on)=0.022 Ом. Значительно мощнее, может работать в более тяжелых условиях.
  • IRF540N: 100В, 33А, Rds(on)=0.044 Ом. На большее напряжение.
  • IRF740: 400В, 10А. Для сетевых напряжений (220В).
  • STP55NF06: 60В, 55А, Rds(on)=0.017 Ом. Очень низкое сопротивление.
  • FQP50N06: 60В, 50А, Rds(on)=0.022 Ом.

• Близкие по параметрам (для замены в стандартных ключевых режимах):

  • IRF510: 100В, 5.6А, Rds(on)=0.54 Ом. Чуть большее напряжение, но выше сопротивление.
  • IRF530: 100В, 14А, Rds(on)=0.18 Ом.
  • BUZ11: 50В, 30А, Rds(on)=0.04 Ом. Старая, но популярная модель.
  • 2SK1081 (от Toshiba и др.)

Важное замечание по замене:

1. Всегда проверяйте цоколевку (распиновку). Хотя для TO-220 она часто стандартна (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), бывают исключения.
2. Учитывайте динамические характеристики (особенно заряд затвора Qg), если транзистор работает на высокой частоте (импульсные блоки питания). Неподходящий Qg может перегрузить драйвер.
3. Для замены в критичных по надежности устройствах рекомендуется изучать даташиты и сравнивать ключевые параметры в рабочих точках схемы.

Вывод: IRFD014PBF — проверенный, надежный транзистор для задач средней мощности. Благодаря популярности серии HEXFET, он имеет множество прямых и функциональных аналогов как от Infineon, так и от других ведущих производителей.