Infineon IRFF110

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET транзистора Infineon IRFF110.

Описание

IRFF110 — это классический N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор) из легендарной серии HEXFET от International Rectifier (ныне Infineon Technologies). Он предназначен для коммутации значительных токов и напряжений в различных импульсных и линейных схемах.

Ключевые особенности и применение:

• Высокое напряжение: Рабочее напряжение до 100 В позволяет использовать его в сетевых (off-line) источниках питания, управлении двигателями, автомобильной электронике.
• Значительный ток: Способен коммутировать ток до 8 А, что делает его подходящим для силовых ключей в преобразователях, регуляторах, H-мостах.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Для своего времени и класса обладал хорошим показателем, что минимизирует потери на проводимость и нагрев в открытом состоянии.
• Корпус TO-220AB: Классический, удобный для монтажа корпус с возможностью установки на радиатор.
• Основные сферы применения: Импульсные источники питания (SMPS), контроллеры двигателей постоянного тока, силовые инверторы, драйверы реле и соленоидов, аудиоусилители класса D.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | - | N-канальный, обогащение (enhancement) | HEXFET, вертикальная структура | | Корпус | - | TO-220AB | Изолированный монтажный фланец | | Максимальное напряжение | Vdss | 100 В | Сток-исток (сток-затвор) | | Непрерывный ток стока | Id @ 25°C | 8.0 А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока | Idm | 32 А | - | | Сопротивление открытого канала | Rds(on) | 0.27 Ом | Тип. при Vgs=10 В, Id=4.3 А | | | | 0.40 Ом | Макс. при Vgs=10 В, Id=4.3 А | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) | 2.0 - 4.0 В | Обычно 3.0 В при Id=250 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток | Vgs | ±20 В | - | | Общая рассеиваемая мощность | Pd | 40 Вт | При температуре корпуса 25°C (с радиатором) | | Температура перехода | Tj | -55 ... +175 °C | - | | Емкость затвора (входная) | Ciss | 350 пФ | Тип. при Vds=25 В, Vgs=0 В | | Время включения / выключения | tr / tf | 35 нс / 25 нс | Тип. |

Прямые парт-номера и аналоги (полная замена)

Эти модели имеют идентичные или практически идентичные электрические характеристики, распиновку (pin-to-pin) и корпус. Они являются прямой заменой без изменений в схеме.

• IRF110 (Более ранняя версия от IR, без буквы "F").
• IRFF110PBF (Более современное обозначение, где PBF указывает на бессвинцовые выводы (RoHS-совместимый)).
• IRF610 (Более слабый аналог от IR, но с другими параметрами: 200В, 3.3А).
• BUZ11 (Классический аналог от Philips/Siemens, очень популярен).
• MTP8N10 (Motorola/ON Semi).
• STP8N10 (STMicroelectronics).
• RFP8N10 (Fairchild/ON Semi).
• 2SK794 (Toshiba).

Совместимые и близкие по параметрам модели (для замены с проверкой)

Эти транзисторы имеют схожие или лучшие ключевые параметры (Vdss, Id), но могут отличаться по динамическим характеристикам, емкости или пороговому напряжению. Перед заменой необходимо сверяться с даташитом и учитывать работу схемы на высоких частотах.

От того же производителя (Infineon/IR) и других брендов:

1. Более современные и эффективные аналоги от Infineon:

   • IRF7416 (100В, 10А, Rds(on)=0.013 Ом) — намного лучше по сопротивлению, логический уровень (затвор управляется от 5В).
   • IRF1010E (60В, 84А, Rds(on)=0.012 Ом) — для более низкого напряжения, но значительно больших токов.
   • IRF3205 (55В, 110А, Rds(on)=0.008 Ом) — культовый транзистор для низковольтных мощных применений.
   • IRF540 (100В, 33А, Rds(on)=0.044 Ом) — более мощный и популярный аналог.
   • IRFZ44N (55В, 49А, Rds(on)=0.0175 Ом) — для низковольтных схем.

2. Совместимые по напряжению и току (100В / ~8А):

   • STP8NK100Z (STMicro) — 100В, 7.2А, с защитным стабилитроном затвор-исток.
   • FQP8N100 (Fairchild/ON Semi) — 100В, 7.5А.
   • IXTP8N100 (IXYS) — 100В, 8А.

Важное замечание по замене: При выборе аналога обращайте внимание не только на Vdss и Id, но и на:

• Rds(on) (влияет на нагрев).
• Vgs(th) (особенно важно для схем с низковольтным управлением).
• Qg (заряд затвора) и Ciss (входная емкость) (критично для быстрых импульсных схем — потребует пересчета драйвера затвора).
• Скорость переключения (tr, tf).

Вывод: Infineon IRFF110 — надежный, проверенный временем силовой MOSFET для задач средней мощности. Сегодня существуют более современные аналоги с лучшими характеристиками (ниже Rds(on), выше скорость), но он по-прежнему может встречаться в ремонте или использоваться в несложных проектах. При замене в существующей схеме лучше всего подходят прямые парт-номера (BUZ11, STP8N10 и т.д.). Для новых разработок рекомендуется выбирать более современные модели из актуальных линеек Infineon, STMicroelectronics или ON Semiconductor.