Infineon IRFI4212H-117P

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IRFI4212H-117P.

Описание и применение

IRFI4212H-117P — это N-канальный силовой MOSFET транзитор в популярном корпусе TO-220 FullPAK (также часто называемом TO-220F). Этот корпус отличается полностью изолированной пластиковой конструкцией, что позволяет монтировать транзистор на радиатор без необходимости использования изолирующей прокладки и втулки, упрощая сборку и улучшая тепловые характеристики.

Ключевые особенности, делающие эту модель востребованной:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери мощности на проводимость и высокий КПД.
• Высокая скорость переключения: Позволяет эффективно работать в импульсных схемах (ШИМ-контроллеры, инверторы).
• Полностью изолированный корпус: Упрощает монтаж и снижает паразитную емкость "корпус-радиатор".
• Широкий диапазон рабочих напряжений: Универсальность для различных применений.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Низковольтные приводы двигателей (например, в электроинструменте, электромобилях)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы (например, для систем UPS)
• Усилители класса D (автомобильные аудиосистемы)

Основные технические характеристики (ТТХ)

Приведены абсолютные максимальные и типичные параметры при Tj=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 200 | В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 9.5 | мОм | Тип. при V_GS=10 В, I_D=35 А | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 12.5 | мОм | Тип. при V_GS=4.5 В, I_D=18 А | | Ток стока (непрерывный) | I_D @ T_C=100°C | 35 | А | Зависит от условий охлаждения | | Ток стока (импульсный) | I_DM | 140 | А | | | Мощность рассеяния | P_D @ T_C=25°C | 200 | Вт | При монтаже на идеальный радиатор | | Напряжение затвор-исток | V_GS | ±20 | В | Максимальное (не превышать!) | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 | В | | | Общий заряд затвора | Q_g (тип.) | 120 | нКл | Влияет на требования к драйверу | | Время включения / выключения | t_d(on) / t_d(off) | 15 / 60 | нс | | | Диод обратного восстановления | Q_rr | 210 | нКл | Важно для индуктивных нагрузок | | Температура перехода | T_J | от -55 до +175 | °C | |

Важное примечание: Параметры, особенно ток и мощность, сильно зависят от условий теплоотвода. Необходим расчет теплового режима для конкретной конструкции.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот транзистор входит в семейство, и у него есть несколько вариантов обозначения в зависимости от упаковки и маркировки.

• Основной парт-номер: IRFI4212H-117P
• Альтернативное написание (в спецификациях Infineon): IRFI4212H-117PBF (суффикс "BF" часто означает "бессвинцовый", но в данном случае это тот же компонент).
• Более старый/основной номер кристалла (HEXFET): IRFI4212 (базовая модель, корпус может отличаться).
• В корпусе TO-220 (не изолированном): IRF4212 или IRF4212PBF (требует изоляционной прокладки при монтаже на общий радиатор).

Совместимые и аналогичные модели (Cross-Reference)

При поиске замены или аналога необходимо сравнивать ключевые параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on), корпус и расположение выводов.

Аналоги от Infineon (в корпусе TO-220 FullPAK):

• IRFI4212H-117P (исходная модель)
• IRFI4212H-117PP (возможно, отличия в упаковке/ленте)
• IRFI4211H-117P (близкий аналог, 150V, 47A, Rds(on)=7.5 мОм) — если требуется меньшее напряжение, но больший ток.
• IRFI4210H-117P (100V, 60A, Rds(on)=6.0 мОм) — для низковольтных мощных применений.

Аналоги от других производителей (прямые или улучшенные замены):

• STMicroelectronics: STP80NF20-08 (200V, 80A, Rds(on)=8.0 мОм, TO-220) — более мощный, но корпус не изолирован.
• Vishay/Siliconix: SUD80N20-20 (200V, 80A, Rds(on)=20 мОм, TO-220) — параметры могут отличаться.
• Fairchild/ON Semiconductor: FDP80N20 (200V, 80A, Rds(on)=20 мОм, TO-220) — требует проверки по datasheet.
• International Rectifier (включены в Infineon): Любые MOSFET с номерами IRF4212, IRFI4212 в различных корпусах.

Общие рекомендации по замене:

1. Всегда сверяйтесь с Datasheet! Особенно разделы с Absolute Maximum Ratings и Electrical Characteristics.
2. Обращайте внимание на корпус. TO-220F (FullPAK) и обычный TO-220 имеют разную конструкцию и требования к монтажу.
3. Проверяйте распиновку (pinout). Хотя для TO-220 она обычно стандартна (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), бывают исключения.
4. Учитывайте динамические параметры (Q_g, Q_rr), если транзистор работает на высоких частотах.

Для точного подбора аналога лучше всего использовать сервисы поиска аналогов на сайтах дистрибьюторов электронных компонентов (например, LCSC, FindChips, Octopart) или в специализированных программах (Platforma PC). В поиске указывайте ключевые параметры: 200V 35A TO-220F N-channel MOSFET.