Infineon IRFP250MPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET-транзистора Infineon IRFP250MPBF.

Описание

IRFP250MPBF — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET, которая обеспечивает высокую эффективность и надежность. Это один из самых популярных и проверенных временем "рабочих лошадок" в силовой электронике.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая мощность: Предназначен для управления большими токами и напряжениями, что делает его идеальным для мощных преобразователей.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 85 мОм (макс. при Vgs=10V). Это минимизирует потери на проводимость и нагрев при работе.
• Быстрое переключение: Благодаря технологии HEXFET, обладает высокой скоростью переключения, что важно для импульсных схем (хотя требует внимательного проектирования ВЧ-трактов).
• Повышенная устойчивость: Улучшенная стойкость к лавинным нагрузкам (Avalanche Rated) и расширенная область безопасной работы (SOA).
• Корпус TO-247AC: Классический и широко распространенный корпус для мощных компонентов, удобный для монтажа на радиатор.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Мостовые и полумостовые инверторы (например, в сварочных аппаратах)
• Управление двигателями (мотор-драйверы, контроллеры)
• Усилители класса D (автомобильные и профессиональные аудиосистемы)
• Инверторы 12/24В -> 220В
• Системы бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики (основные)

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET, технология HEXFET.
• Корпус: TO-247AC (сквозное отверстие).
• Полярность: N-Channel.
• Сток-Исток напряжение (Vdss): 200 В
• Постоянный ток стока (Id) при Tc=25°C: 30 А
• Импульсный ток стока (Idm): 120 А
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)):
  • Макс. 85 мОм при Vgs = 10 В
  • Макс. 120 мОм при Vgs = 5 В
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2.0 - 4.0 В (тип. 3.0 В)
• Общий заряд затвора (Qg): 120 нКл (тип.)
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 Вт (при Tc=25°C)
• Диод сток-исток: Встроенный обратный диод (Body Diode)

Важное примечание: Работа на максимальных токах возможна только при обеспечении идеального теплоотвода (радиатор) и температуре корпуса (Tc) 25°C. В реальных условиях необходимо рассчитывать тепловой режим и, как правило, использовать с запасом по току.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Это компонент производства Infineon Technologies (ранее International Rectifier). Парт-номер IRFP250MPBF является основным и полным.

• IRFP250MPBF — полное обозначение, где:
  • IRFP — серия мощных полевых транзисторов Infineon.
  • 250 — условный код, указывающий на основные параметры (в данном случае 200В, 30А).
  • M — обозначает улучшенные характеристики (в частности, повышенную стойкость к лавинному пробою).
  • PBF — "Lead-Free" (не содержит свинца), соответствует директиве RoHS.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

При поиске замены важно сверять ключевые параметры: Vdss, Id, Rds(on), корпус и цоколевку (pinout). Ниже приведены наиболее близкие аналоги.

| Производитель | Парт-номер | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Vishay / Siliconix | IRFP250N | Прямой функциональный аналог. Очень близкие характеристики. | | STMicroelectronics | STP30N20F6 | Аналог в корпусе TO-220, но с похожими параметрами (200В, 30А). Для TO-247 можно смотреть серию STW30N20F6. | | ON Semiconductor | FDPF30N20 | Близкий аналог. Также доступен в TO-220F. | | Fairchild (ON Semi) | FQP30N20 | Аналог в корпусе TO-220. | | IXYS | IXFH30N20X | Высококачественный аналог с хорошими характеристиками. |

Важные замечания по совместимости:

1. Корпус: Обращайте внимание на корпус. Прямые замены в TO-247: IRFP250N, STW30N20F6. Модели в корпусе TO-220 (например, IRF3205, хотя у него другие параметры) могут иметь другую рассеиваемую мощность и требования к теплоотводу.
2. Параметры: Всегда проверяйте даташит. У аналогов могут незначительно отличаться пороговое напряжение (Vgs(th)), заряд затвора (Qg), что может повлиять на работу драйвера на высоких частотах.
3. Для ремонта: Для большинства ремонтных задач (импульсные БП, инверторы) IRFP250N (Vishay) является наиболее частой и успешной прямой заменой для IRFP250MPBF. Также часто в схемах используются связки из нескольких таких транзисторов параллельно.
4. Более современные аналоги: Сегодня существуют транзисторы с лучшими параметрами (ниже Rds(on)), например, из серий Infineon OptiMOS или StrongIRFET, но они могут иметь другую цоколевку или динамические характеристики. Замена на них требует перепроверки схемы.

Вывод: IRFP250MPBF — классический, надежный и мощный MOSFET, который остается отличным выбором для проектов, где важна надежность и доступность. При замене в первую очередь рекомендуется оригинал (Infineon) или прямой аналог IRFP250N от Vishay.