Infineon IRLR8743PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и совместимые модели для MOSFET транзистора Infineon IRLR8743PBF.

Общее описание

IRLR8743PBF — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET от Infineon. Он предназначен для применения в схемах переключения низкого напряжения (до 30 В), где критически важны низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и высокая энергоэффективность.

Его ключевые преимущества:

• Очень низкое сопротивление Rds(on): Всего 3.3 мОм при напряжении затвора 10 В, что минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям затвора, что важно для ШИМ-управления.
• Рассчитан на логический уровень управления: Полностью открывается уже при напряжении на затворе Vgs = 4.5 В, что позволяет управлять им напрямую с выходов микроконтроллеров (3.3 В / 5 В) без дополнительных драйверов.
• Упаковка: Выполнен в популярном и компактном корпусе TO-252 (DPAK), удобном для монтажа на печатную плату и эффективного отвода тепла через контактную площадку (фланец).

Основная сфера применения: Силовые ключи в системах с питанием от аккумуляторов или низковольтных источниках, DC-DC преобразователи, управление двигателями, нагрузками в автомобильной электронике, мощных стабилизаторах напряжения.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Условия (если указано) | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET, Enhancement Mode | | | Корпус | TO-252 (DPAK) | | | Структура | HEXFET | | | Максимальное напряжение "Сток-Исток" (Vds) | 30 В | | | Максимальный непрерывный ток стока (Id) | 160 А | При Tc = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (Idm) | 640 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 3.3 мОм | Vgs = 10 В, Id = 80 А | | | 4.5 мОм | Vgs = 4.5 В, Id = 50 А (важно для логического уровня!) | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.0 В | Тип. 1.35 В | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" (Vgs) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 68 нКл | Тип., Vgs = 10 В | | Мощность рассеяния (Pd) | 200 Вт | При Tc = 25°C | | Диод обратного восстановления | Интегрированный быстрый обратный диод | | | Температура хранения/перехода | от -55 до +175 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах или с незначительными отличиями):

• IRLR8743PBF — базовая модель в корпусе TO-252.
• IRLR8743TRPBF — тот же транзистор, но поставляемый на бобине/ленте (Tape & Reel) для автоматического монтажа.
• IRF8743PBF — Очень важный аналог! Фактически, это одна и та же кристалл-схема, но в более крупном и термостойком корпусе TO-220. Имеет более высокий запас по рассеиваемой мощности (до ~3 Вт без радиатора) и проще в монтаже на радиатор. Является прямым функциональным и электрическим аналогом для сквозного монтажа (THT).
• IRF8743MPBF — вариант в корпусе TO-220AB.

2. Совместимые модели и аналоги от других производителей (Cross-Reference): Следующие транзисторы имеют схожие или идентичные ключевые параметры (30В, низкое Rds(on), логический уровень) и часто могут служить заменой в схемах, но всегда требуется проверка даташита, особенно по распиновке и динамическим характеристикам.

• International Rectifier (ныне Infineon): Тот же IRLR8743 — исторический производитель.
• Vishay / Siliconix:
  • SQJ410EP-T1_GE3 (в корпусе PowerPAK SO-8)
  • SUD50N03-09L-E3
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • NTMFS4C10N (более современный, в корпусе SO-8FL)
  • FDP8743 (прямой аналог)
• STMicroelectronics:
  • STL320N3LLH6 (в корпусе H²PAK-6)
  • Серия STP или STD в корпусе TO-220/TO-252 с параметрами ~30В / 3-5 мОм.
• Diodes Incorporated:
  • DMN3012LSS-13
• Toshiba, Renesas: Также имеют аналоги в своих линейках.

Рекомендации по замене и применению

1. При замене всегда обращайте внимание на:

   • Корпус и распиновку (особенно при переходе с SMD (TO-252) на THT (TO-220)).
   • Точные значения Rds(on) при вашем рабочем Vgs (4.5В или 10В).
   • Емкости затвора (Ciss, Coss, Crss) и заряд (Qg), если важна скорость переключения.
   • Характеристики встроенного обратного диода (прямое падение напряжения, время восстановления).

2. Для управления от микроконтроллера (3.3В/5В) убедитесь, что выбранный аналог имеет гарантированно низкое Rds(on) именно при Vgs=4.5В. IRLR8743PBF для этого отлично подходит.

3. Тепловой режим: Несмотря на низкое сопротивление, при больших токах нагрев значителен. Для токов свыше 20-30А в непрерывном режиме обязательно требуется эффективный теплоотвод — медная полигонная площадка на плате для DPAK или радиатор для TO-220.

Вывод: Infineon IRLR8743PBF — это мощный, эффективный и популярный MOSFET для низковольтных применений, который благодаря логическому уровню управления и низкому сопротивлению стал отраслевым стандартом для многих задач. Его прямой аналог в корпусе для сквозного монтажа — IRF8743PBF.