Infineon IRLU2905PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного MOSFET-транзистора Infineon IRLU2905PBF.

Описание и применение

Infineon IRLU2905PBF — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET, в корпусе TO-220AB. Это ключевой элемент, предназначенный для эффективного управления высокими токами при низком напряжении управления.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on) max = 4.5 мОм) при напряжении затвора 10 В минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Мощность: Способен коммутировать постоянный ток до 50 А и импульсный ток до 200 А.
• Управление от логических уровней: Полностью открывается уже при напряжении на затворе Vgs = 4.5 В (типовое значение), что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (например, Arduino, STM32) и цифровых схем без дополнительных драйверов.
• Быстрое переключение: Высокая скорость переключения делает его пригодным для импульсных схем (ШИМ-регуляторы, преобразователи).
• Защитный диод: Встроенный обратный диод (body diode) обеспечивает защиту от всплесков напряжения индуктивной нагрузки.

Типичные области применения:

• Силовые ключи в DC-DC преобразователях и импульсных источниках питания (SMPS).
• Управление мощными нагрузками: электродвигатели (в т.ч. в робототехнике и электромобилях), соленоиды, нагреватели, светодиодные ленты.
• ШИМ-регуляторы скорости и яркости.
• Схемы защиты (например, "идеальные диоды").
• Инверторы и H-мосты (мостовые схемы).

Основные технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | - | N-канальный, Enhancement Mode | - | | Корпус | - | TO-220AB (с возможностью крепления на радиатор) | - | | Макс. напряжение "сток-исток" | Vds | 55 В | - | | Макс. постоянный ток стока | Id @ 25°C | 50 А | Tc = 25°C | | Макс. импульсный ток стока | Idm | 200 А | - | | Сопротивление открытого канала | Rds(on) | макс. 4.5 мОм | Vgs = 10 В, Id = 50 А | | | | макс. 6.0 мОм | Vgs = 4.5 В, Id = 50 А | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) | 1.0 - 2.0 В | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | | Макс. напряжение "затвор-исток" | Vgs | ±20 В | - | | Общая рассеиваемая мощность | Pd | 200 Вт | Tc = 25°C | | Заряд затвора | Qg (тип.) | 150 нКл | Vgs = 10 В | | Время включения / выключения | tr / tf | 52 нс / 44 нс | - | | Встроенный обратный диод | - | Есть | - |

Парт-номера и совместимые аналоги (Cross-Reference)

Ниже приведены наиболее популярные и функционально совместимые аналоги от других производителей. Важно: При замене всегда сверяться с даташитом, особенно по параметрам Rds(on) при вашем рабочем Vgs, заряду затвора (Qg) и динамическим характеристикам.

Прямые аналоги в корпусе TO-220:

• International Rectifier (IR, ныне Infineon):
  • IRFZ44N (более старый и распространенный аналог, но с более высоким Rds(on) = 17.5 мОм). IRLU2905 значительно его превосходит.
  • IRF3205 (Vds = 55В, Id = 110А, Rds(on) = 8.0 мОм) — мощнее по току, но выше сопротивление.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP50N06-08 (Vds = 60В, Id = 50А, Rds(on) = 8.0 мОм)
• STMicroelectronics:
  • STP55NF06 (Vds = 60В, Id = 55А, Rds(on) = 10 мОм)
  • STP55NF06L (логический уровень, Rds(on) = 15 мОм при 4.5В)
• Fairchild / ON Semiconductor:
  • FDP55N06 (Vds = 60В, Id = 55А, Rds(on) = 12 мОм)
• NXP Semiconductors:
  • PSMN4R5-55BS (очень близкий современный аналог в корпусе TO-220, D2PAK, Rds(on) = 4.5 мОм при 10В)

Аналоги в других корпусах (требует переразводки платы):

• TO-263 (D2PAK):
  • Infineon IPP050N06N3 G (очень близкий по параметрам, SMD-версия)
  • Vishay SUD50N06-09
• TO-252 (DPAK):
  • AON7544 (Vds = 55В, Id = 50А, Rds(on) = 5.3 мОм) — современный, эффективный SMD-аналог.

Более совершенные / современные аналоги (могут иметь лучшие параметры):

• Infineon IPB050N06N3 G (в корпусе TO-263, с улучшенными динамическими характеристиками).
• Nexperia PSMN4R5-55BLE (в корпусе LFPAK56, SMD, с исключительно низким Rds(on) и индуктивностью выводов).
• Транзисторы на базе TrenchFET или SuperSO8 технологий от различных производителей (обычно в SMD-корпусах).

Важные замечания при замене:

1. Напряжение Vgs(th): Убедитесь, что аналог также является MOSFET'ом логического уровня, если управление идет от МК с напряжением 3.3В или 5В.
2. Тепловой режим: Обращайте внимание на тепловое сопротивление (RthJC, RthJA). Эффективный отвод тепла через радиатор критически важен для работы на высоких токах.
3. Динамические параметры (Qg, Ciss): Для схем с высокой частотой переключения (десятки-сотни кГц) заряд затвора (Qg) может быть важнее, чем статическое Rds(on).

Вывод: Infineon IRLU2905PBF — это проверенный, надежный и мощный MOSFET, отлично подходящий для проектов, где требуется управлять большими токами с помощью слаботочных сигналов от цифровых схем. При выборе аналога в первую очередь стоит рассматривать современные модели от Infineon, Nexperia и STMicroelectronics.