Infineon ISP452HUMA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для Infineon ISP452HUMA1.

Общее описание

Infineon ISP452HUMA1 — это высоковольтный, высокопроизводительный N-канальный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии Superjunction (CoolMOS™). Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), корректорах коэффициента мощности (PFC) и других энергоэффективных приложениях, где критичны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевые особенности:

• Технология CoolMOS™: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) для своего класса напряжения, что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокое напряжение: Рассчитан на работу в цепях с напряжением до 500 В, что делает его идеальным для сетевого питания (85-265 В AC).
• Быстрое переключение: Оптимизирован для работы на высоких частотах (десятки-сотни кГц), что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
• Высокая эффективность: Позволяет создавать источники питания с высоким КПД, соответствующие современным стандартам энергоэффективности (80 PLUS, ErP и др.).
• Корпус TO-220: Классический, широко распространенный изолированный корпус, удобный для монтажа и отвода тепла через радиатор.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | N-канальный, MOSFET, Superjunction (CoolMOS) | — | | Корпус | TO-220 FullPAK (изолированный) | Контактная площадка (таблетка) изолирована от кристалла. | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 500 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.45 Ом (макс.) | При токе стока 3.5 А и напряжении затвор-исток 10 В. | | Постоянный ток стока (I_D) | 7.5 А | При температуре корпуса 25°C. | | Импульсный ток стока (I_DM) | 30 А | — | | Мощность рассеяния (P_tot) | 48 Вт | При температуре корпуса 25°C (с радиатором). | | Емкость входная (C_iss) | ~ 720 пФ | Влияет на требования к драйверу затвора. | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 18 нКл | Важный параметр для расчета потерь на переключение. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Температура перехода (T_j) | -55 ... +150 °C | Максимально допустимая температура кристалла. |

Ключевые преимущества

1. Низкие динамические потери: Благодаря технологии CoolMOS и низкому заряду затвора.
2. Высокая перегрузочная способность: Выдерживает высокие импульсные токи.
3. Встроенный защитный диод: Быстрый обратный диод между стоком и истоком.
4. Надежность: Соответствует промышленным стандартам.

Типичные области применения

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в топологии "мост".
• ИБП (UPS), инверторы, приводы двигателей малой мощности.
• Схемы плавного пуска (soft-start), синхронные выпрямители (в определенных топологиях).

Парт-номера и совместимые модели

Важно: Полная взаимозаменяемость зависит от конкретной схемы, рабочей частоты, режимов переключения и системы охлаждения. Всегда необходим анализ даташитов.

1. Прямые аналоги и аналогичные модели от Infineon:

Эти модели имеют схожие или идентичные электрические параметры и часто являются вариантами в одной линейке.

• IPP50R450CP (IPD50R450CP) — практически полный аналог в корпусе TO-220 FullPAK. Часто используется как парт-номер для той же самой детали.
• SPP11N60C3 — более старая модель, с несколько худшими динамическими характеристиками, но подходящая по напряжению и току.
• IPA50R450CP — аналог в корпусе TO-220 (неизолированная таблетка).
• IPP50R450C6 — более новая версия в линейке CoolMOS C6 (возможны улучшенные характеристики).

2. Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

Подбираются по ключевым параметрам: V_DSS ≥ 500В, I_D ≥ 7-8А, R_DS(on) ~ 0.4-0.6 Ом, корпус TO-220.

• STMicroelectronics: STP8NK50Z, STP9NK50ZFP (с защитным стабилитроном на затворе).
• ON Semiconductor / Fairchild: FCP11N60, FCPF11N60.
• Vishay / Siliconix: SPP11N60C3.
• Power Integration (в составе топологии): Хотя это не прямой аналог, в ремонте часто можно найти их решения, где MOSFET встроен в чип.

3. Что искать для замены при ремонте:

1. Напряжение V_DSS: Должно быть не менее 500В. Можно ставить 600В-ые аналоги (например, STP10NK60ZFP), это повысит запас по напряжению.
2. Ток I_D: Должен быть не менее 7.5А. Лучше с запасом.
3. Сопротивление R_DS(on): Желательно такое же или ниже (например, 0.4 Ом вместо 0.45 Ом). Более высокое сопротивление может привести к перегреву.
4. Корпус: TO-220 FullPAK (изолированный). Если в вашей схеме нет электрического контакта радиатора с другими частями, можно использовать обычный TO-220 (например, IPA50R450CP), но потребуется изолирующая прокладка и втулка.
5. Скорость переключения (заряд Q_g, емкости): Для работы на высоких частотах этот параметр критичен. Если у замены Q_g значительно выше, драйвер может не справиться, возрастут потери.

Рекомендация: При замене всегда сверяйтесь с даташитами (datasheet) обоих компонентов, особенно разделы Electrical Characteristics и Switching Characteristics. В сложных схемах с жестким режимом работы (например, PFC на высокой частоте) несовпадение динамических параметров может привести к выходу из строя новой детали или драйвера.