Infineon K40T120

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon K40T120.

Общее описание

Infineon K40T120 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™). Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением, таких как Flyback (обратноходовой преобразователь), Forward (прямоходовой) и PFC-каскады (корректор коэффициента мощности).

Ключевые преимущества этой серии — очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и высокая скорость переключения, что позволяет снизить коммутационные потери и повысить общий КПД устройства. Транзистор имеет встроенный защитный диод (body diode) и оптимизирован для работы в диапазоне напряжений до 600В.

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (CoolMOS™) | | | Структура | Super Junction | | | Корпус | TO-220 (Isolated) | Классический изолированный корпус для монтажа на радиатор. | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Ток стока (Id) | 10.5 А при Tc=100°C | Непрерывный ток через транзистор. | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.45 Ом (макс.) при Vgs=10 В | Ключевой параметр, определяющий потери на проводимость. Чем меньше, тем лучше. | | Заряд затвора (Qg) | 24 нКл (тип.) | Влияет на потери при управлении и требования к драйверу. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3 - 5 В | Минимальное напряжение для открытия транзистора. | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±30 В | Превышение ведет к необратимому повреждению. | | Время включения (td(on) + tr) | 15 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | 47 нс (тип.) | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 0.65 мкКл (тип.) | Важный параметр для PFC и мостовых схем. | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | 2.5 °C/Вт | | | Максимальная температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальное полное обозначение от Infineon может включать в себя суффиксы, указывающие на упаковку или партию, но базовая часть — SPP11N60C3.

Прямые аналоги и парт-номера:

• SPP11N60C3 — это основной и полный парт-номер для K40T120. Часто на корпусе транзистора написано именно SPP11N60C3, а K40T120 — это внутренний или маркетинговый код серии/семейства.
• SPP11N60C3-XX (где XX — код упаковки, например, "AT" для аммо-пачки).

Совместимые и аналогичные модели (от Infineon и других производителей):

Важно: При замене необходимо проверять не только ключевые параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и динамические (Qg, Qrr), а также цоколевку.

От Infineon (более новые/аналогичные серии):

• IPP60R190C6 / IPP60R180C7 — Более современные и эффективные транзисторы из серии CoolMOS C6/C7 с меньшим Rds(on). Часто являются рекомендуемой заменой для модернизации.
• SPP11N60S5 — Из серии CoolMOS S5 (оптимизированы для жесткого переключения).
• IPA60R190C6 — В корпусе TO-220 FullPAK (без изолирующей прокладки, но с пластиной, которую можно изолировать).

От других производителей (функциональные аналоги):

• STMicroelectronics: STP11NK60Z, STP10NK60ZFP (схожие параметры, но технология MDmesh™).
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP11N60, FCPF11N60.
• Vishay (Siliconix): SUD11N06-60 (серия Power MOSFET).
• International Rectifier (IR): IRFB11N60A.
• NXP (Philips): Можно искать аналоги по параметрам в сериях MOSFET 600V.

Типовые области применения

1. Импульсные блоки питания (SMPS): Основная сфера — компьютерные БП, блоки для бытовой электроники, промышленные источники.
2. Корректоры коэффициента мощности (PFC): В качестве ключевого элемента в boost-преобразователе (повышающая топология).
3. Преобразователи для освещения: Электронные балласты для люминесцентных ламп, драйверы светодиодов (LED).
4. Инверторы: Маломощные инверторы и преобразователи DC-AC.
5. Системы управления двигателями: В простых схемах управления.

Ключевые особенности для инженера

• Технология CoolMOS™: Обеспечивает лучшее соотношение Rds(on) к площади кристалла по сравнению с обычными MOSFET.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на повышенных частотах, уменьшая габариты трансформаторов и дросселей.
• Низкий заряд обратного восстановления (Qrr): Критично для работы в PFC-схемах, снижает потери и помехи.
• Повышенная устойчивость к лавинному пробою (Avalanche Rugged): Способность выдерживать кратковременные выбросы напряжения.

Рекомендация по замене: При поиске аналога всегда сверяйтесь с Datasheet и обращайте внимание на:

1. Напряжение Vds (должно быть не менее 600В).
2. Ток Id (желательно не меньше).
3. Сопротивление Rds(on) (чем меньше, тем лучше, но может влиять на динамику).
4. Заряд затвора (Qg) — если он сильно отличается, драйвер управления может не справиться.
5. Цоколевка (pinout) — для TO-220 стандартная: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток.