Infineon ND104N12K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET-транзистора Infineon ND104N12K.

Описание

Infineon ND104N12K — это N-канальный功率овый MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Это устройство предназначено для применений, где требуются высочайшая эффективность, плотность мощности и надежность.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)): Очень низкое значение, всего 1.04 мОм при 10 В, что минимизирует проводимость и, как следствие, нагрев и потери энергии в ключевом режиме.
• Высокая токовая способность: Способен выдерживать постоянный ток до 104 А и импульсный ток до 520 А, что делает его пригодным для сильноточных применений.
• Низкое энергопотребление: Технология OptiMOS 5 оптимизирована для снижения коммутационных потерь, что критически важно для повышения КПД импульсных источников питания и инверторов.
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным нагрузкам (Avalanche Rated) и широкой диапазоном рабочих температур (от -55 °C до +175 °C).
• Корпус TO-247: Классический и широко распространенный корпус, обеспечивающий хороший отвод тепла и удобство монтажа на радиатор.

Основные области применения:

• Силовые блоки серверов и телекоммуникационного оборудования (SMPS)
• Инверторы и приводы двигателей
• Сварочное оборудование
• Системы управления батареями (BMS)
• Преобразователи напряжения в автомобильной промышленности и промышленной автоматике

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | N-Channel MOSFET | - | | Технология | OptiMOS 5 | - | | Сток-Исток напряжение (V DSS) | 100 В | - | | Сопротивление открытого канала (R DS(on)) | 1.04 мОм (макс.) | V GS = 10 В, I D = 52 А | | | 1.24 мОм (макс.) | V GS = 4.5 В, I D = 40 А | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 2.7 - 3.9 В | V DS = V GS, I D = 37 мкА | | Макс. постоянный ток стока (I D) | 104 А | при T C = 25°C | | Макс. импульсный ток стока (I DM) | 520 А | - | | Макс. мощность рассеяния (P D) | 520 Вт | при T C = 25°C | | Макс. напряжение Затвор-Исток (V GS) | ± 20 В | - | | Общий заряд затвора (Q g (тип.)) | 130 нКл | V GS = 10 В | | Время включения (t d(on) + t r) | 27 нс (тип.) | - | | Время выключения (t d(off) + t f) | 34 нс (тип.) | - | | Диод обратного восстановления (Q rr) | 440 нКл (тип.) | - | | Рабочая температура перехода (T J) | от -55 до +175 °C | - | | Корпус | TO-247 | - |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель часто присваивает транзистору несколько внутренних номеров. Основной номер для заказа — ND104N12K.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей

Прямого 100% функционального аналога с точно такими же характеристиками от другого производителя может не существовать, однако есть множество транзисторов со схожими ключевыми параметрами (напряжение 80-100 В, ток ~100 А, низкое R DS(on)), которые могут рассматриваться как замена в зависимости от требований схемы.

Обратите внимание: Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитами и учитывать все параметры, особенно динамические (заряды, емкости).

Возможные аналоги / Конкуренты:

• STMicroelectronics: STH160N10F7, STP160N10F7
• Vishay / Siliconix: SIH160N10E
• ON Semiconductor: FDH100N10A
• Texas Instruments: CSD19536Q5A

Совместимые модели в линейке Infineon (для сравнения и выбора)

Сравнение с другими транзисторами Infineon того же семейства или с другими параметрами:

| Модель Infineon | V DSS | R DS(on) (макс.) | I D (макс.) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | ND104N12K | 100 В | 1.04 мОм | 104 А | Описываемая модель | | IPP110N10N5 | 100 В | 1.1 мОм | 110 А | Аналог из серии OptiMOS 5, очень близкие параметры | | IAUC100N10S5N015 | 100 В | 1.5 мОм | 100 А | Аналог в корпусе SuperSO8 (для компактных плат) | | IPP120N08S5 | 80 В | 1.2 мОм | 120 А | Модель на 80В, может подойти если требуется меньшее напряжение | | NDT110N10R | 100 В | 1.6 мОм | 110 А | Более дешевый вариант с чуть худшими параметрами |

Важно: Данный список является ориентировочным. Для выбора окончательного аналога необходимо проводить тщательный сравнительный анализ даташитов на основе конкретных требований вашего проекта (рабочая частота, характер нагрузки, требования к КПД и т.д.).