Infineon ND261N26K
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon ND261N26K
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET-транзистора Infineon ND261N26K.
Общее описание
Infineon ND261N26K — это N-канальный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Этот транзистор разработан для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике, где критически важны низкие потери на проводимость и переключение, а также высокая надежность.
Ключевые особенности и преимущества:
- Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Одно из самых низких в своем классе, что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
- Высокая эффективность переключения: Благодаря низким зарядами затвора (Qg) и выходной емкости (Coss), что позволяет работать на высоких частотах.
- Технология OptiMOS 5: Обеспечивает отличное соотношение цена/производительность, высокую стойкость к лавинным процессам и надежность.
- Расширенный диапазон рабочих температур: Корпус рассчитан на высокотемпературную пайку.
- Корпус TO-220: Классический, удобный для монтажа и теплоотвода корпус.
Основные технические характеристики (ТХ)
| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Технология | OptiMOS 5 | | | Корпус | TO-220 | | | Сток-исток напряжение (Vds) | 260 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток стока (Id) | 55 А | При Tc=25°C | | Ток стока (Id) | 38 А | При Tc=100°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 26 мОм (макс.) | Vgs=10 В, Id=26.5 А | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 19 мОм (тип.) | Vgs=10 В, Id=26.5 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.5 - 4.0 В | Vds=Vgs, Id=250 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | | | Полный заряд затвора (Qg) | ~ 45 нКл (тип.) | Vgs=10 В, Id=26.5 А | | Входная емкость (Ciss) | ~ 1400 пФ (тип.) | Vds=200 В, Vgs=0 В, f=1 МГц | | Время включения (td(on)+tr) | ~ 15 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off)+tf) | ~ 28 нс (тип.) | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Очень низкий | Благодаря технологии OptiMOS | | Температура хранения/перехода (Tj max) | -55 ... +175 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC) | 0.7 К/Вт | | | Тепловое сопротивление переход-окружающая среда (RthJA) | 62 К/Вт | Без радиатора |
Парт-номера (Part Numbers) и аналоги
1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах или с минимальными отличиями):
- IPP026N06N3 G (60V, 2.6 мОм) — более старая серия OptiMOS 3, но популярная.
- IPP060N06N3 G (60V, 6 мОм) — меньший ток, аналог в корпусе TO-220 FullPAK.
- IAUC60N06S5L012 (60V, 6 мОм) — аналог в корпусе SuperSO8 для SMD-монтажа.
- Для напряжения 260В Infineon часто предлагает модели в корпусах TO-247 или D²PAK с лучшим теплоотводом (например, NDA2560N26), но они не являются прямыми заменами по корпусу.
2. Совместимые модели / Аналоги от других производителей (Кросс-референс):
Важно: Полная замена требует проверки по всем ключевым параметрам (Vds, Id, Rds(on), Qg, корпус) в конкретной схеме.
- STMicroelectronics:
- STP55NF26 — очень близкий прямой аналог (260В, 55А, 26 мОм, TO-220).
- STW55NF26 (в корпусе TO-247).
- Vishay / Siliconix:
- SQJA55-260 (или SUJ55-260) — аналогичные параметры.
- ON Semiconductor / Fairchild:
- FDP55N26 — классический аналог.
- IR (International Rectifier, теперь часть Infineon):
- IRFPS55N26 — устаревшая модель, но может встречаться.
- NXP Semiconductors:
- Модели в сериях PSMN (например, для SMD-корпусов).
Рекомендация по замене: Наиболее прямым и часто используемым аналогом является STP55NF26 от STMicroelectronics. Однако всегда сверяйтесь с даташитами, особенно обращая внимание на динамические характеристики (Qg, Ciss) и параметры внутреннего диода, если он используется в схеме.
Типичные области применения
- Импульсные источники питания (SMPS): Особенно в силовых каскадах (например, PFC - корректор коэффициента мощности, DC-DC преобразователи).
- Мотор-драйверы и инверторы: Управление двигателями в промышленности, электромобилях, силовом инструменте.
- Сварочное оборудование.
- Системы ИБП (источники бесперебойного питания).
- Высокочастотные преобразователи.
Примечание: Для точного подбора аналога и проверки возможности замены в конкретной схеме необходимо изучать официальные даташиты (datasheet) обоих компонентов.