Infineon PTFA211801E

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для транзистора Infineon PTFA211801E.

Описание

Infineon PTFA211801E — это мощный N-канальный LDMOS транзистор, разработанный специально для работы в диапазоне частот мощного усиления (1.8 ГГц). Он является частью линейки PTF, которая широко используется в финальных каскадах усиления (PA — Power Amplifier) базовых станций мобильной связи, особенно в стандартах GSM, EDGE, UMTS (3G) и LTE (4G).

Ключевые особенности и применение:

• Назначение: Финальный каскад усиления в передатчиках базовых станций.
• Технология: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) — отраслевой стандарт для мощных ВЧ-усилителей благодаря хорошему сочетанию мощности, линейности, эффективности и надежности.
• Упаковка: Выполнен в прочном и надежном керамическом корпусе Air-Cavity, который обеспечивает отличный теплоотвод и минимальные паразитные индуктивности, что критично для ВЧ-работы.
• Мatching: Частично согласован на входе и выходе для упрощения проектирования схемы.

Технические характеристики (Типовые / при типовых условиях)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Частотный диапазон | 1.8 ГГц | Оптимизирован для работы на этой частоте | | Класс усиления | AB | Стандартный для линейного усиления | | Выходная мощность (Pout) | 180 Вт (пиковая) | Типовое значение при работе в импульсном режиме | | Напряжение питания (Vd) | 28 В / 32 В | Стандартное напряжение для базовых станций | | Коэффициент усиления (Gain) | 17.5 дБ (мин.) | При Pout=60W, Vd=28V, f=1.8 ГГц | | КПД (Drain Efficiency) | > 40% | При номинальной мощности | | Линейность (IMD3) | < -30 дБн | Показатель качества линейного усиления | | Напряжение отсечки (Vth) | 1.5 - 3.0 В | | | Ток стока (Idq) | 1200 - 1800 мА | Ток покоя для класса AB | | Тепловое сопротивление (Rth) | 0.3 °C/Вт | Корпус-кристалл, важно для расчета системы охлаждения | | Макс. температура кристалла | +200 °C | | | Согласование | Вход/выход частично согласованы | Упрощает проектирование ВЧ-тракта |

Парт-номера и аналоги (Cross-Reference)

Основной парт-номер:

• PTFA211801E — это полное и основное обозначение устройства.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей: Важно отметить, что полная pin-to-pin и электрическая совместимость требует проверки по даташиту, но следующие модели являются аналогами в том же сегменте (мощный LDMOS, ~180 Вт, 1.8 ГГц):

1. NXP (Freescale):

   • MRF8P20180HSR3 — один из самых близких и популярных аналогов.
   • MRF8P20180H (предыдущая версия).
   • Серия MRF8P20180... является основным конкурентом.

2. Ampleon (ранее часть NXP):

   • После разделения NXP, Ampleon продолжил производство многих LDMOS-транзисторов. Модели часто имеют схожую нумерацию.
   • BLF8G27LS-180P (хотя может иметь некоторые отличия в характеристиках).

3. STMicroelectronics:

   • STAP19020 — транзистор схожей мощности, но требует проверки распиновки и характеристик.

Важное примечание по совместимости:

• Не является "drop-in replacement" (полноценной заменой без переделки) автоматически. Несмотря на схожие основные параметры, различия в смещении (bias), тепловых характеристиках, внутренней коррекции и S-параметрах могут требовать корректировки схемы смещения и ВЧ-тракта.
• Всегда необходимо: Сравнивать даташиты, особенно разделы Absolute Maximum Ratings, Recommended Operating Conditions, Bias sequences, Thermal data и S-parameters.
• Прошивка усилителя: Часто требует перенастройки при замене транзистора на аналог от другого производителя.

Область применения

• Финальные каскады усилителей мощности (PA) базовых станций LTE (4G), WCDMA/UMTS (3G) в диапазоне около 1.8 ГГц (например, полоса DCS 1800).
• Оборудование для беспроводной инфраструктуры.
• Другие системы мощного ВЧ-усиления в указанном частотном диапазоне.

Где искать информацию?

• Официальный источник: Всегда обращайтесь к последней версии Datasheet на сайте Infineon.
• Application Notes: Infineon и конкуренты публикуют подробные рекомендации по применению, схемам смещения и монтажу.