Infineon PVG612PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon PVG612PBF.

Краткое описание

Infineon PVG612PBF — это N-канальный MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором), выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он предназначен для применения в качестве синхронного выпрямителя (SR) в импульсных источниках питания, особенно в топологиях с жестким резонансом (LLC) и изолированных понижающих (Buck) преобразователях. Его ключевые преимущества — крайне низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и высокая скорость переключения, что минимизирует коммутационные потери и потери на проводимость, повышая общий КПД системы.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement mode (нормально закрытый) | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Корпус | PG-TDSON-8 | Пластиковый корпус с отводом тепла через верхнюю площадку (Exposed Pad). | | Схема выводов | 8-выводной, но с 4 выводами истока (Source) | Выводы 1, 2, 5, 6 — исток (S). Вывод 7 — затвор (G). Выводы 3, 4 — сток (D). | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 60 В | Максимальное рабочее напряжение. | | Ток стока (Id) | 150 А | При Tc=25°C (температура корпуса). | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.6 мОм (макс.) | Ключевой параметр. При Vgs=10 В, Id=75 А. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.35 - 3.35 В | Тип. 2.85 В при Id=250 мкА. | | Заряд затвора (Qg) | 56 нКл (тип.) | При Vds=30 В, Vgs=10 В. Низкий заряд для быстрого переключения. | | Входная емкость (Ciss) | 3400 пФ (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 357 Вт | При Tc=25°C. | | Диапазон рабочей температуры | -55 °C ... +175 °C | Температура перехода (Tj). |

Ключевые особенности:

• Сверхнизкое Rds(on): Позволяет минимизировать потери на проводимость, особенно критично в синхронном выпрямлении, где токи велики.
• Высокая эффективность переключения: Благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss).
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Гарантированная энергия (Eas) повышает надежность в жестких условиях эксплуатации.
• Оптимизированный корпус: PG-TDSON-8 обеспечивает отличный отвод тепла и низкое паразитное сопротивление/индуктивность выводов.

Парт-номера (Part Numbers) и альтернативные обозначения

• Основной заказной номер: PVG612PBF
  • PVG612 — базовая часть номера модели.
  • P — обозначает корпус PG-TDSON-8.
  • BF — упаковка (на ленте, Tape & Reel).
• Альтернативные / внутренние номера Infineon:
  • SP001224999 — это, вероятно, внутренний идентификатор продукта или номер в спецификации.
• Полное описание для заказа: Обычно указывается как PVG612PBFXKSA1.

Совместимые и аналогичные модели

При поиске замены или аналога PVG612PBF необходимо учитывать ключевые параметры: Vds=60В, Id=150А, корпус PG-TDSON-8 и сверхнизкое Rds(on).

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии/технологии):

• PVG612APBF / PVG612A: Может иметь незначительные отличия в параметрах (например, Rds(on) или Qg) в рамках того же семейства.
• IPP60R060P7XKSA1: Очень близкий аналог из серии OptiMOS™ 5 с похожими характеристиками (60 В, 150 А, Rds(on) ~1.6 мОм). Часто используется в аналогичных применениях.
• IPP060N06N G / IPP060N06N: Более старая серия OptiMOS™, но с близкими параметрами. Требует проверки по datasheet.

2. Аналоги от других производителей (Second Source):

Совместимость требует тщательной проверки по datasheet, особенно по распиновке и динамическим характеристикам.

• ON Semiconductor (ныне onsemi):
  • FDBL86062_F085: N-канальный MOSFET, 60 В, 150 А, 1.7 мОм, в корпусе Power88 (аналог D2PAK-8, совместим по выводам с PG-TDSON-8? — требует проверки).
• STMicroelectronics:
  • STL160N6F7: 60 В, 150 А, 1.6 мОм, в корпусе PowerFLAT 8x8 HV. Внимание: Распиновка и форма корпуса могут отличаться.
• Vishay Siliconix:
  • SQJ460EP-T1_GE3: 60 В, 150 А, 1.8 мОм, в корпусе PowerPAK 8x8. Также требует проверки механической и электрической совместимости.

3. Важные замечания по совместимости:

• Распиновка (Pinout): Крайне важно убедиться, что расположение выводов G, D, S и тепловой площадки идентично.
• Геометрия корпуса: PG-TDSON-8 может иметь разные варианты (толщина, размер площадки). Не все "8-выводные" корпуса взаимозаменяемы.
• Динамические параметры (Qg, Coss, trr): Для работы в схемах синхронного выпрямления на высоких частотах эти параметры не менее важны, чем Rds(on).

Рекомендация: Всегда используйте PVG612PBF для новых проектов или его прямого аналога IPP60R060P7XKSA1 от Infineon. Перед заменой на аналог от другого производителя обязательно:

1. Сравните datasheets.
2. Проверьте footprint (посадочное место на плате).
3. Проведите тестирование в реальных условиях работы вашего устройства.