Infineon SD10N60

Конечно, вот подробное описание транзистора SD10N60 от Infineon, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Общее описание

Infineon SD10N60 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS) и других схемах, где критически важны высокий КПД, надежность и способность работать на высоких частотах.

Ключевые особенности, которые обеспечивает технология CoolMOS:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): Минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на повышенных частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
• Отличная устойчивость к лавинным процессам (Avalanche Ruggedness): Высокая энергия лавинного пробоя делает транзистор более надежным в условиях выбросов напряжения и индуктивных нагрузок.
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает потери в драйвере.

Типичные применения:

• Импульсные блоки питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Источники питания для освещения (LED drivers, балласты).
• DC-DC преобразователи.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC).

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Технология CoolMOS™ | | Структура | Superjunction | | | Корпус | TO-220 | Классический корпус с металлической площадкой для крепления на радиатор. | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 10 А | При температуре корпуса 25°C. | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.65 Ом (макс.) | Типичное значение около 0.55 Ом. Измерено при V_GS=10 В, I_D=5 А. | | Заряд затвора (Q_g) | 45 нКл (тип.) | Низкий заряд облегчает быстрое переключение. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 125 Вт | При условии эффективного отвода тепла с радиатора. | | Диапазон рабочей температуры | -55 ... +150 °C | |

Парт-номера и полное обозначение

Официальное полное название для заказа обычно включает в себя корпус и упаковку:

• SPP10N60C3 — Это более новое/альтернативное коммерческое обозначение от Infineon для той же технологии. Важно: Хотя параметры очень близки, всегда следует сверяться с даташитом для конкретной партии.
• SD10N60 — базовое обозначение.
• SD10N60-TO-220 — указание корпуса.

На бирке/упаковке может также указываться лот и дата производства.

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При поиске аналога важно сравнивать ключевые параметры: V_DSS (600В), I_D (~10А), R_DS(on) и корпус (TO-220).

Прямые или очень близкие аналоги от других производителей:

| Производитель | Модель-аналог | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP10NK60Z, STP10NK60ZFP | Аналог по току и напряжению, также популярная модель. | | Fairchild/ON Semiconductor | FCP10N60, FQP10N60C | Технология SuperFET, хорошая совместимость. | | Vishay/Siliconix | IRFBC40 | Классическая модель, но параметры могут немного отличаться. | | International Rectifier (IR) | IRFBC40 | Аналогично Vishay. | | Power Integration | Модели в корпусе TO-220 с похожими характеристиками. | |

Аналоги в других корпусах (для модернизации или иного монтажа):

• SD10N60-TO-247 — аналог в более крупном корпусе TO-247 (если существует), имеет лучшее тепловыделение.
• SD10N60-TO-220F / IPAK — аналог в корпусе без металлической задней площадки (полностью пластиковый).

Важные замечания по замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитами! Перед заменой необходимо сравнить не только основные параметры, но и такие, как:
   • Входная емкость (C_iss), заряд затвора (Q_g) — влияют на работу драйвера.
   • Наличие/отсутствие внутреннего защитного диода (у SD10N60 он есть).
   • Характеристики внутреннего диода (скорость восстановления).
2. Технология CoolMOS™ имеет уникальные динамические характеристики. Прямая замена на "условно аналогичный" MOSFET может привести к повышенным потерям на переключение или даже к выходу из строя в высокочастотных схемах. В PFC и LLC-каскадах это особенно критично.
3. Для ремонта бытовой техники часто используются более универсальные аналоги, такие как STP10NK60Z или FCP10N60, которые показывают хорошую совместимость в большинстве типовых схем блоков питания.

Рекомендация: Для гарантированной работы, особенно в ответственных или высокочастотных схемах, лучше использовать оригинальный SD10N60 или его официальную замену SPP10N60C3 от Infineon. Для ремонта стандартных БП подойдут и проверенные аналоги от ST или ON Semiconductor.