Infineon SGB06N60-E3045A

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового транзистора Infineon SGB06N60-E3045A.

Описание

Infineon SGB06N60-E3045A — это N-канальный功率 MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™ E3) от Infineon.

• Основное назначение: Предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), коррекции коэффициента мощности (PFC) и других силовых преобразовательных устройствах, где требуются высокий КПД и надежность.
• Технология CoolMOS™ E3: Ключевое преимущество этой серии — исключительно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) для своего класса напряжения, что приводит к значительному снижению коммутационных потерь и нагрева. Технология E3 также обеспечивает высокую стабильность параметров и повышенную стойкость к перегрузкам.
• Корпус: Транзистор выполнен в популярном и надежном изолированном корпусе TO-263-3 (D²Pak), что позволяет эффективно отводить тепло на радиатор.
• Электрические параметры: Напряжение сток-исток 600 В и ток стока до 5.7 А делают его идеальным компонентом для сетевых источников питания (185 ~ 265 В).

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DS | 600 В | | | Ток стока (при 25°C) | I_D | 5.7 А | T_C = 25°C | | Ток стока (при 100°C) | I_D | 3.6 А | T_C = 100°C | | Сопротивление "сток-исток" | R_DS(on) | 0.45 Ом (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 2.85 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 ~ 4.2 В | V_DS = V_GS, I_D = 250 мкА | | Заряд затвора | Q_g | 18 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Время включения | t_d(on) | 9 нс (тип.) | | | Время выключения | t_d(off) | 40 нс (тип.) | | | Макс. мощность рассеяния | P_tot | 48 Вт | T_C = 25°C | | Температура перехода | T_J | -55 ... +150 °C | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_thJC | 2.6 К/Вт | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель Infineon часто присваивает несколько кодов для одного и того же компонента. SGB06N60-E3045A — это полный порядковый номер. Также вы можете встретить:

• SPB06N60S5-03 — это, по сути, то же самое устройство. Данный номер часто используется в технической документации (Datasheet) и является базовым названием серии.
• SGB06N60E3045A (без дефиса) — вариант написания того же номера.

При поиске на складах или в спецификациях можно использовать оба варианта.

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При замене важно учитывать не только основные параметры (V_DS, I_D), но и динамические характеристики (заряд затвора Q_g, R_DS(on)), а также корпус.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

• STMicroelectronics: STP6N60M2, STP6N60F3 (серия MDmesh™ M2/DM2)
• ON Semiconductor: FCPF6N60NT, NCE60TF6009 (проверять распиновку)
• Fairchild/ON Semi: FCP6N60 (серия SuperFET®)
• Vishay: SiHG06N60E (серия QFET® Plus)
• IR (International Rectifier): IRFB6N60A (более старая технология, может потребовать проверки работоспособности в схеме)

Аналоги от Infineon (схожие по характеристикам):

• IPP60R360P7XKSA1 — аналог из более новой серии CoolMOS™ P7 (ниже R_DS(on)).
• IPA60R360P7SXKSA1 — аналог в корпусе TO-220.
• SPB07N60S5 — транзистор на 600В / 6.7А из той же серии CoolMOS™ E3.

Важное примечание по замене

Хотя перечисленные транзисторы имеют схожие вольт-амперные характеристики, их динамические параметры (скорость переключения, заряд затвора) могут отличаться. Перед установкой аналога в существующую плату настоятельно рекомендуется:

1. Сравнить datasheet на оригинальную деталь и на аналог.
2. Убедиться, что драйвер затвора сможет эффективно управлять аналогом (особенно важно при различиях в Q_g).
3. Проверить цоколевку (pinout), так как в одном и том же корпусе у разных производителей она может различаться (особенно для D²Pak/TO-263).