Infineon SPA08N50C3

Infineon SPA08N50C3 - это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для применения в импульсных источниках питания, корректорах коэффициента мощности (PFC) и других силовых преобразовательных устройствах.

Краткое описание

SPA08N50C3 относится к семейству CoolMOS™ C3 от Infineon, которое известно своим оптимальным балансом между эффективностью, стоимостью и надежностью. Эта серия является усовершенствованием классической технологии Superjunction (CoolMOS). Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (V_DSS): 500 В, что делает его подходящим для сетевых приложений (220/380В).
• Низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on)): Обеспечивает низкие коммутационные потери и высокий КПД.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам затвора и выходной емкости.
• Повышенная надежность: Улучшенная стойкость к лавинным процессам и расширенная область безопасной работы (SOA).
• Оптимизация для жесткого переключения (Hard-Switching): Идеально подходит для топологий типа Flyback, Forward, Half-Bridge.

Основные области применения:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Корректоры коэффициента мощности (PFC)
• Источники питания для ПК, серверов, бытовой электроники
• Осветительные системы (LED драйверы)
• Промышленные силовые преобразователи

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement mode | - | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | 500 В | - | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.45 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 4 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.65 Ом (макс.) | При V_GS = 4.5 В, I_D = 2.25 А | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 7.8 А | При T_C = 25°C | | Импульсный ток стока (I_DM) | 31 А | - | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3 - 5 В | При I_D = 250 мкА | | Общий заряд затвора (Q_g) | ~ 28 нКл (тип.) | При V_DS = 400 В, I_D = 8 А | | Входная емкость (C_iss) | ~ 1400 пФ (тип.) | При V_DS = 25 В, f = 1 МГц | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 190 Вт | При T_C = 25°C | | Корпус | TO-220 | Изолированный (FullPAK) или нет, зависит от суффикса |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в том же семействе или схожие):

• SPA08N50C3 (базовая модель, часто в TO-220 без изоляции).
• SPA08N50C3-IT (вероятно, вариант на катушке для автоматического монтажа).
• SPA08N50C3-AT (аналогично).
• IPA08N50C3 - вариант в изолированном корпусе FullPAK (слюдяная изоляция). Это наиболее распространенный и безопасный вариант для монтажа на общий радиатор.
• IPA08N50C3XKSA1 - полный ordering code для изолированной версии.

2. Совместимые / Аналогичные модели от других производителей (Требуется проверка даташита и распиновки!):

• STMicroelectronics: STP8NK50Z, STP8NK50ZFP (схожие параметры, N-channel 500V).
• ON Semiconductor / Fairchild: FCP8N50, FCP8N60 (часто взаимозаменяемы с небольшой разницей в напряжениях).
• Vishay / Siliconix: SPA08N50C3 иногда является прямым клоном от Vishay.
• Power Integration: (Интегральные решения, не прямой аналог).
• Транзисторы в аналогичном классе: При поиске аналога ориентируйтесь на ключевые параметры: N-ch, 500В, ~7-8А, Rds(on) ~0.45-0.6 Ом, TO-220/FullPAK.

Важное примечание по замене:

• Всегда сверяйтесь с даташитами (datasheet) обоих компонентов.
• Обращайте внимание на распиновку (pinout) корпуса, она может отличаться.
• Учитывайте динамические характеристики (заряды, емкости) для критичных по скорости приложений.
• Изолированный (FullPAK/IPA) и неизолированный (SPA) корпуса не всегда взаимозаменяемы без изменения схемы крепления на радиатор.

Резюме

Infineon SPA08N50C3 — это надежный и эффективный MOSFET для силовых преобразовательных устройств среднего уровня мощности. Его основными преимуществами являются технология CoolMOS C3, обеспечивающая низкие потери, и доступность как в изолированном, так и в стандартном корпусе. При замене наиболее безопасным и прямым аналогом является IPA08N50C3 от того же производителя.