Infineon SPB20N60S5

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon SPB20N60S5.

Описание

Infineon SPB20N60S5 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, изготовленный по передовой технологии Super Junction (SJ). Он принадлежит к серии CoolMOS™ C3, которая является третьим поколением этой технологии.

Основное назначение: Ключевые элементы в импульсных источниках питания (SMPS), корректорах коэффициента мощности (PFC), преобразователях частоты и других силовых электронных устройствах, где требуются высокое напряжение, низкое сопротивление в открытом состоянии и высокая эффективность переключения.

Ключевые преимущества:

• Высокое напряжение: Позволяет работать в цепях с напряжением до 600 В.
• Низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)): Всего 200 мОм (максимум) при 20 А, что минимизирует потери проводимости и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Благодаря технологии Super Junction, что позволяет работать на высоких частотах.
• Отличная устойчивость к лавинному пробою: Повышает надежность устройства в условиях перенапряжений.
• Низкий заряд затвора (Q G): Упрощает управление и снижает потери в драйвере.

Технические характеристики

В таблице ниже приведены основные параметры при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | MOSFET | | Технология | CoolMOS™ C3 (Super Junction) | | | Корпус | TO-220 | | | Напряжение "Сток-Исток" (V DSS) | 600 В | | | Непрерывный ток стока (I D) | 20 А | при T_c = 25°C | | Непрерывный ток стока (I D) | 11.5 А | при T_c = 100°C | | Импульсный ток стока (I DM) | 80 А | | | Сопротивление "Сток-Исток" в откр. сост. (R DS(on)) | 0.200 Ом (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 10 А | | Сопротивление "Сток-Исток" в откр. сост. (R DS(on)) | 0.170 Ом (тип.) | V_GS = 10 В, I_D = 10 А | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | I_D = 250 мкА | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" (V GS) | ± 30 В | | | Общий заряд затвора (Q G (typ.)) | 45 нКл | V_GS = 10 В, I_D = 20 А | | Заряд затвора-истока (Q GS) | 8.5 нКл (тип.) | | | Заряд затвора-стока (плато) (Q GD) | 16 нКл (тип.) | | | Время включения (t on) | 27 нс (тип.) | | | Время выключения (t off) | 57 нс (тип.) | | | Внутренняя диаграмма (Body Diode) напряжение (V SD) | -1.5 В | | | Время восстановления диаграммы (t rr) | 240 нс (тип.) | I_F = 20 А, di/dt = 100 A/мкс | | Максимальная рассеиваемая мощность (P D) | 190 Вт | при T_c = 25°C |

Парт-номера и аналоги

Производители часто выпускают один и тот же компонент под разными номерами, или он может быть частью другой серии с идентичными характеристиками.

Прямые парт-номера и аналогичные модели от Infineon:

• SPB20N60S5-03 — Это полное официальное название компонента. Часто в datasheet и поиске используется именно оно.
• SPB20N60S5FKSA1 — Это номер для заказа на ленте и в упаковке для автоматизированного монтажа.
• SPP20N60S5 — Аналог в корпусе TO-220 FullPak (полностью пластиковый, без металлической задней пластины).
• IPB20N60S5 — Аналог в корпусе D²Pak (TO-263).

Совместимые модели и аналоги от других производителей:

При поиске аналога (прямой замены) важно сверяться с даташитом, так как некоторые параметры (особенно динамические характеристики и характеристики встроенного диода) могут незначительно отличаться, что может быть критично для конкретной схемы.

• STMicroelectronics: STW20N60M2, STP20N60M2 (из серии MDmesh™ M2)
• ON Semiconductor: FCP20N60 (из серии SuperFET II), FCP20N60S (более современный аналог)
• Fairchild/ON Semi: FCP20N60, FQA20N60
• IXYS: IXFR20N60P
• Vishay: SVF20N60A, SUP20N60-18 (требует проверки распиновки)

Важные замечания по совместимости:

1. Корпус: Убедитесь, что аналог имеет тот же корпус (например, TO-220).
2. Распиновка: В большинстве случаев у транзисторов в корпусе TO-220 стандартная распиновка (слева-направо: Затвор, Сток, Исток), но у некоторых аналогов она может отличаться (например, Затвор, Исток, Сток). Это необходимо проверять в первую очередь!
3. Ключевые параметры: Для успешной замены аналог должен иметь, как минимум, такое же V DSS (600 В), равный или меньший R DS(on) и равный или больший I D.

Рекомендация: Всегда используйте официальный даташит на заменяемый компонент и на аналог для проведения сравнительного анализа перед пайкой на плату.