Infineon SPD03N60C3BTMA1

Артикул: 564841

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon SPD03N60C3BTMA1

Отличный выбор! Infineon SPD03N60C3BTMA1 — это мощный и надежный силовой MOSFET-транзистор, широко используемый в импульсных источниках питания, схемах управления двигателями и других преобразовательных приложениях.

Описание

SPD03N60C3BTMA1 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой суперъюнкционной технологии CoolMOS™ C3. Эта технология от Infineon обеспечивает выдающееся соотношение низкого сопротивления открытого канала (RDS(on)) и малого заряда затвора (Qg), что является ключом к высокой эффективности и низким коммутационным потерям.

Основные преимущества и особенности:

Высокое напряжение: Рассчитан на работу в сетях 220В, с хорошим запасом прочности.
Низкие потери: Благодаря низкому RDS(on) и оптимизированным динамическим характеристикам.
Высокая надежность: Обладает высокой устойчивостью к лавинным процессам (Avalanche Rugged), что важно для работы в индуктивных нагрузках.
Быстрое переключение: Подходит для работ на высоких частотах (десятки-сотни кГц).
Планарная технология: Обеспечивает стабильность параметров и хорошую воспроизводимость.
Корпус TO-252 (DPAK): Компактный, удобный для монтажа на поверхность (SMD), с хорошим отводом тепла через контактную площадку.

Типичные применения:

Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, бытовой техники, освещения.
PFC-корректоры коэффициента мощности.
DC-DC преобразователи.
Управление двигателями (низковольтные приводы).
Инверторы и UPS (системы бесперебойного питания).

Технические характеристики (ключевые параметры)

Парт-номера (полные аналоги от Infineon)

Этот транзистор может поставляться под разными маркировками в зависимости от упаковки. Основной парт-номер для ленты (Tape & Reel):

SPD03N60C3BTMA1 – стандартная маркировка для заказа.

На корпусе (TO-252) транзистор имеет укороченную маркировку: 03N60C3.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

Важно: При замене необходимо сверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (Q_g, C_iss), а также цоколевку.

Прямые или очень близкие аналоги:

STMicroelectronics: STP3N60, STP3N60M2, STP3N60F3 (серия FDmesh II).
ON Semiconductor (Fairchild): FCP3N60, FQPF3N60C.
Vishay (Siliconix): SPA03N60C3, SPP03N60C3.
Power Integration (в схемах TOPSwitch): Подбор аналога для ремонта требует анализа конкретной схемы.

Более мощные аналоги (с меньшим R_DS(on) и большим током, часто взаимозаменяемы "с запасом"):

Infineon: SPD04N60C3 (4А, ~1.2 Ом), SPD06N60C3 (6А, ~0.65 Ом).
STMicroelectronics: STP4N60M2, STP5N60M2, STP6N60M2.
ON Semiconductor: FCP4N60, FCP5N60, FCP6N60.

Аналоги в корпусе TO-220 (сквозной монтаж):

Infineon: SPP03N60C3 (тот же кристалл, другой корпус).
STMicroelectronics: STP3N60M2 (в TO-220).
ON Semiconductor: FCP3N60 (в TO-220).

Рекомендация по замене:

Лучший вариант — использовать оригинальный SPD03N60C3BTMA1 или его полный аналог в том же корпусе (например, STP3N60M2 в DPAK).
При замене на аналог с лучшими параметрами (например, 4N60 или 6N60) убедитесь, что драйвер управления сможет обеспечить больший зарядный ток затвора (из-за большего Q_g).
При замене корпуса (например, с DPAK на TO-220) необходимо проверить возможность монтажа и теплоотвода.

Всегда сверяйтесь с официальными даташитами (техническими описаниями) перед заменой, особенно в критичных по надежности и безопасности устройствах.