Infineon SPI07N65C3

Отличный выбор! Infineon SPI07N65C3 — это очень популярный и надежный силовой MOSFET транзистор. Ниже представлено подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Краткое описание

SPI07N65C3 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой Super Junction (CoolMOS™ C3) технологии от Infineon. Ключевые особенности:

• Назначение: Предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS) в качестве ключевого элемента, особенно в топологиях с жестким переключением (например, Flyback, Forward, Half-Bridge).
• Основные преимущества:
  • Высокое напряжение сток-исток: 650 В, что делает его идеальным для сетевого питания (85-265 В AC).
  • Очень низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.70 Ом при 10.5 В на затворе. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря технологии CoolMOS, что позволяет работать на высоких частотах (десятки-сотни кГц), уменьшая габариты трансформаторов и фильтров.
  • Высокая стойкость к динамическим процессам (dv/dt): Технология C3 обеспечивает отличную надежность в тяжелых условиях переключения.
• Корпус: TO-220FP (изолированный), что упрощает монтаж на радиатор без необходимости изолирующей прокладки.
• Применение: Блоки питания для ПК, серверов, бытовой электроники, светодиодные драйверы, промышленные источники питания.

Основные технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 650 В | | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.70 Ω (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 3.5 А | Ключевой параметр для потерь | | | | 0.55 Ω (тип.) | V_GS = 10 В, I_D = 3.5 А | | | Постоянный ток стока | I_D | 7.0 А | T_C = 25°C | При условии хорошего охлаждения | | Импульсный ток стока | I_DM | 28 А | | Пиковый ток | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.8 - 4.2 В | I_D = 250 мкА | Типовое ~3.5 В | | Заряд затвора | Q_g (тип.) | 22 нКл | V_GS = 10 В | Влияет на требования к драйверу | | Входная емкость | C_iss (тип.) | 750 пФ | V_DS = 25 В, V_GS = 0 В | | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 57 Вт | T_C = 25°C | При монтаже на идеальный радиатор | | Температура перехода | T_J | от -55 до +150 °C | | Максимальная +150°C |

Парт-номера и полное обозначение

• Полное коммерческое обозначение: SPI07N65C3
  • SPI: Серия (Super Junction Power MOSFET, изолированный корпус).
  • 07: Номинальный ток стока (7 А).
  • N: N-канальный.
  • 65: Класс напряжения (650 В).
  • C3: Поколение технологии CoolMOS (C3).
• Парт-номер для заказа: Обычно указывается именно как SPI07N65C3. На корпусе может быть нанесена сокращенная маркировка (например, S07N65C3).

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При поиске замены важно смотреть на ключевые параметры: V_DSS (≥650В), I_D (≥7А), R_DS(on) и заряд затвора Q_g. Корпус TO-220FP (изолированный) или стандартный TO-220.

Прямые аналоги от Infineon (той же или новой технологии):

• IPI07N65C3 — Аналог в корпусе TO-220 (неизолированный). Внимание на изоляцию!
• SPI07N65C3 (более новые партии) — Прямая замена.
• SPI07N65C3A / IPA07N65C3 — Улучшенные версии с чуть лучшими параметрами.
• Из более новых серий: IPP07N65C3 (C3), IPP07N65N3 (N3 - следующее поколение, лучше по динамике).

Аналоги от других производителей (ОБЯЗАТЕЛЬНАЯ проверка даташита и распиновки!):

• STMicroelectronics: STP7NK65Z, STP7NK65FP (TO-220FP), STW7NK65Z. Модели серии FP - изолированный корпус.
• ON Semiconductor / Fairchild: FCP7N65, FCP7N65S. Серия SuperFET.
• Vishay Siliconix: SUD07N65-50P (TO-220FP).
• Power Integration (в сборках): Часто используются в их драйверах, но как дискретный компонент реже.
• Китайские производители (NCE, HCF, CRS): NCE07T65, HCF07N65, CRS07N65. Часто имеют схожие параметры, но надежность и стабильность характеристик могут отличаться от оригинала.

Важные замечания при замене:

1. Корпус: TO-220FP имеет изолированную металлическую площадку. При замене на обычный TO-220 (например, IPI07N65C3) необходима изолирующая прокладка.
2. Параметры драйвера: Разный заряд затвора (Q_g) может потребовать пересмотра номиналов элементов обвязки затвора или даже замены драйвера.
3. Рабочая частота: Новые поколения (N3, G5) имеют лучшие динамические характеристики для более высоких частот.
4. Всегда сверяйтесь с Datasheet! Перед заменой необходимо сравнить ключевые параметры в условиях вашей конкретной схемы.

Рекомендация: Для критически важных применений лучшей заменой является оригинальный SPI07N65C3 или его прямые аналоги от Infineon новой ревизии. В ремонте часто успешно используются аналоги от STM или ON Semi.