Infineon SPN02N60C3

Отличный выбор! SPN02N60C3 — это очень популярный и надежный силовой MOSFET-транзистор от Infineon Technologies. Вот его подробное описание и технические данные.

Краткое описание

Infineon SPN02N60C3 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™ C3). Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), схемах коррекции коэффициента мощности (PFC), инверторах и других силовых электронных устройствах, где требуются высокий КПД, надежность и устойчивость к перегрузкам.

Ключевые преимущества технологии CoolMOS C3:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) при высокой скорости переключения.
• Высокая устойчивость к лавинным пробоям и перегрузкам по току (высокий показатель Eₐₛ — лавинная энергия).
• Внутренняя защита от статического электриства (ESD).
• Оптимизирован для работы в жестких режимах переключения (Hard Switching).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Технология | CoolMOS™ C3 (Super Junction) | | | Корпус | TO-220FP (Insulated) | Пластиковый корпус с изолированной площадкой. Не требует изолирующей прокладки при монтаже на радиатор (но теплопроводность хуже, чем у металлической спинки). | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 650 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока (Id) при 25°C | 2.3 А | | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 9.2 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 3.0 Ом (макс.) при Vgs=10 В, Id=1.15 А | Ключевой параметр. Определяет потери на проводимость. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Заряд затвора (Qg) | ~ 10 нКл (тип.) | Влияет на потери при переключении и требования к драйверу. | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 38 Вт | При температуре корпуса 25°C. | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | | | Лавинная энергия (Eₐₛ) | 110 мДж | Важный показатель надежности и устойчивости к индуктивным выбросам. | | Внутренний защитный диод | Есть (Body-Diode) | Быстрый интегрированный обратный диод. |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно один и тот же кристалл выпускается в разных корпусах или с разными префиксами. Прямым аналогом в другом корпусе является:

• SP**P**02N60C3 — тот же кристалл, но в классическом корпусе TO-220 (с металлической изолируемой площадкой). Это самый популярный и взаимозаменяемый аналог.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитами, особенно по таким параметрам, как пороговое напряжение (Vgs(th)), заряд затвора (Qg) и внутренние паразитные емкости.

| Производитель | Модель | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP2N60K5, STP3NK60ZFP | Технология MDmesh™ K5. Очень близкие параметры. | | ON Semiconductor / Fairchild | FCP2N60, FQPF2N60C | | | Vishay / Siliconix | SUD02N06-65L, SPP02N60C3 | | | Power Integration (часто в ремкомплектах) | Транзисторы встроены в топологии, но по параметрам близки. | | | NXP | | Прямых аналогов в текущем портфолио может не быть. |

Аналоги с улучшенными параметрами (для модернизации или при отсутствии оригинала):

• Infineon SPN02N60C3 -> SPN02N60C3 (тот же) или SPP02N80C3 (более высокое напряжение 800В, для большей надежности в сетях с повышенным напряжением).
• Более новые поколения Infineon: CoolMOS™ P6, P7 или G7 (например, IPA60R360P7S). Имеют значительно более низкое Rds(on), но могут отличаться по цоколевке и динамическим характеристикам. Требуют проверки совместимости в схеме.

Типовые области применения

1. Импульсные источники питания (SMPS): особенно в недорогих и массовых моделях мониторов, телевизоров, блоков питания ПК (дежурные +5VSB, низковольтные части).
2. Коррекция коэффициента мощности (PFC): в маломощных PFC-каскадах.
3. Схемы управления электродвигателями: в инверторах малой мощности, балластах для люминесцентных ламп.
4. Обратноходовые преобразователи (Flyback): классическая область применения для такого типа транзисторов.

Важно при замене:

1. Корпус: SPN (TO-220FP) имеет изолированную площадку. При замене на SPP (TO-220) обязательно использовать изолирующую прокладку и втулку!
2. Параметры драйвера: Убедитесь, что схема управления обеспечивает достаточный ток для заряда/разряда затвора выбранного аналога.
3. Лавинная стойкость: Если оригинальный транзистор вышел из строя из-за перенапряжения, лучше выбрать аналог с сопоставимым или большим значением Eₐₛ.

Этот транзистор является «рабочей лошадкой» в силовой электронике малой и средней мощности и при правильном применении демонстрирует высокую надежность.