Infineon SPP02N80C3

Отличный выбор! SPP02N80C3 — это мощный и надежный силовой MOSFET транзистор от Infineon Technologies, разработанный для высоковольтных и высокоэффективных применений.

Краткое описание

Infineon SPP02N80C3 — это N-channel MOSFET, выполненный по передовой супер-степ-технологии (Super-Junction, также известной как CoolMOS™ C3). Эта технология обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при высоком рабочем напряжении.

Ключевые преимущества и назначение:

• Высокое напряжение: 800 В — делает его идеальным для работы в сетях 220В/380В с запасом по перенапряжениям.
• Низкое сопротивление RDS(on): 2.2 Ом — минимизирует потери на проводимость и нагрев в открытом состоянии.
• Технология CoolMOS C3: Оптимизирована для работы в жестких коммутационных режимах (например, в импульсных блоках питания с PFC), предлагая лучший компромисс между скоростью переключения и устойчивостью к помехам.
• Высокая эффективность: Позволяет создавать более компактные и энергоэффективные источники питания без радиаторов или с меньшими радиаторами.
• Основные применения: Импульсные источники питания (SMPS), особенно в топологиях с корректором коэффициента мощности (PFC), инверторы, драйверы для светодиодов (LED драйверы), промышленные системы управления.

Подробные технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение / Условия | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | - | N-channel MOSFET | Enhancement mode | | Технология | - | Super-Junction (CoolMOS™ C3) | | | Сток-исток напряжение | V_DSS | 800 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток стока | I_D | 2 А при T_C=25°C | | | Импульсный ток стока | I_DM | 8 А | | | Сопротивление откр. канала | R_DS(on) | max. 2.2 Ом при V_GS=10 В, I_D=1 А | Ключевой параметр для потерь | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | min. 3 В, typ. 4 В, max. 5 В | Стандартный уровень срабатывания | | Заряд затвора | Q_g | typ. 11 нКл | Влияет на требования к драйверу | | Макс. рассеиваемая мощность | P_tot | 42 Вт при T_C=25°C | Зависит от условий охлаждения | | Корпус | - | TO-252-3 (DPAK) | Пластиковый, для поверхностного монтажа (SMD), с отводом тепла через контакт стока | | Диод "сток-исток" | - | Интегрированный быстрый восстановительный диод (Body Diode) | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальный полный номер для заказа: SPP02N80C3. В спецификациях и на корпусе может указываться в сокращенном виде.

Совместимые / аналогичные модели от Infineon (прямые аналоги в корпусе TO-252):

• SPP02N80C3 (базовая модель, описанная здесь)
• IPP02N80C3 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (сквозной монтаж, с изолированной металлической подложкой). Это самый популярный и прямой аналог по характеристикам, но в другом корпусе.
• IPD02N80C3 — аналог в корпусе D²PAK (TO-263). Имеет бóльшую рассеиваемую мощность за счет большего теплового контакта.

Аналоги от других производителей (важно проверять даташиты!): При поиске аналога необходимо сверять V_DSS (800В), I_D, R_DS(on), заряд затвора Q_g и корпус.

• STMicroelectronics: возможно, STP2N80K3, STP3N80K3 (серия MDmesh™ K3). Требуется проверка по параметрам.
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP2N80, FQPF2N80 (серия SuperFET®). Требуется проверка.
• Toshiba: TK2A80U, TK3A80U (серия U-MOS VI). Требуется проверка.
• Vishay (Siliconix): SiHP2N80E, SiHP3N80E. Требуется проверка.

Как правильно подобрать аналог:

1. Определите критичные параметры для вашей схемы: напряжение, ток, скорость переключения, корпус.
2. Используйте поиск по параметрам (parametric search) на сайтах дистрибьюторов (LCSC, Mouser, DigiKey) или производителей.
3. Всегда сравнивайте даташиты, особенно разделы с динамическими характеристиками (перезаряд, емкости) и графиками.

Важные замечания:

• Корпус DPAK (TO-252) требует качественного теплоотвода через контактную площадку на печатной плате (thermal pad).
• Для управления MOSFET необходим соответствующий драйвер затвора, способный быстро перезаряжать входную емкость транзистора.
• Несмотря на наличие встроенного обратного диода, в индуктивных цепях часто требуется дополнительный внешний диод для более жестких условий.

Вывод: SPP02N80C3 — это классический, проверенный временем MOSFET для построения надежных и эффективных высоковольтных преобразователей средней мощности. Его популярность обеспечивает хорошую доступность и широкий выбор прямых аналогов.