Infineon SPP17N80C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET-транзистора Infineon SPP17N80C3.

Описание

SPP17N80C3 — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, изготовленный по передовой Super Junction (CoolMOS™ C3) технологии от Infineon. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (hard switching), таких как прямоходовые (Forward), мостовые (Bridge) и резонансные преобразователи.

Ключевая особенность — это низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) при высоком рабочем напряжении (800 В). Это позволяет значительно снизить проводимые потери (conduction losses) и повысить общий КПД системы. Транзистор оптимизирован для работы на высоких частотах (десятки-сотни кГц), что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей) в конечном устройстве.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, промышленного оборудования.
• Источники питания для сварочных аппаратов.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно на этапе Boost.
• Импульсные преобразователи и инверторы.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement mode | | Технология | CoolMOS™ C3 | Super Junction | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 800 В | Максимальное постоянное напряжение | | Сток-Исток импульсное напряжение (Vdss) | 800 В | | | Стоковый ток (Id) при 25°C | 17 А | Постоянный ток | | Стоковый ток (Id) при 100°C | 11 А | Постоянный ток, с учетом нагрева | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 68 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.28 Ом (макс.) при Vgs=10V | Ключевой параметр для потерь проводимости | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 60 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера | | Входная емкость (Ciss) | ~ 2100 пФ (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 300 Вт | При условии идеального теплоотвода (Tc=25°C) | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | | | Корпус | TO-220 | Пластиковый, с возможностью крепления на радиатор |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

У Infineon часто есть несколько обозначений для одного и того же кристалла в разных корпусах или с разными префиксами. Для SPP17N80C3 основным является указанный номер.

Прямые аналоги и совместимые модели (Cross-Reference)

При подборе замены необходимо сверять ВСЕ ключевые параметры: напряжение Vds, ток Id, Rds(on), заряд затвора Qg и корпус.

От Infineon (в других корпусах или линейках):

• IPP17N80C3 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, без металлической площадки).
• SPP17N80C3 — базовая модель в TO-220.
• SPP17N80C3FKSA1 — возможно, вариант для автоматического монтажа (на ленте).

Аналоги от других производителей (очень близкие по параметрам):

• STMicroelectronics: STW17N80K5 (технология MDmesh™ K5, 800В, 0.29 Ом, 17А, TO-247 — обратите внимание на корпус!). Более новый и эффективный аналог.
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP17N80 (SuperFET®, 800В, 0.29 Ом, 17А, TO-220). Прямой функциональный аналог.
• Vishay (Siliconix): SUD17N80-5 (800В, 0.25 Ом, 17А, TO-220).
• Toshiba: TK17N80W5 (DTMOSVI, 800В, 0.27 Ом, 17А, TO-220).
• Magnachip: MDP17N80 (800В, 0.28 Ом, 17А, TO-220).

Важные замечания по замене:

1. Корпус: Убедитесь, что физический корпус (TO-220, TO-247, TO-3P) одинаков и подходит для монтажа на вашу плату/радиатор.
2. Характеристики: Даже при совпадении основных параметров (Vds, Id) могут отличаться динамические характеристики (Qg, Ciss, времена переключения). Это может потребовать проверки работы драйвера и теплового режима в конкретной схеме.
3. Производитель: Рекомендуется использовать оригинальные компоненты или аналоги от ведущих брендов (Infineon, ST, ON Semi) для обеспечения надежности, особенно в мощных устройствах.

Вывод

Infineon SPP17N80C3 — это проверенный временем, надежный и эффективный силовой ключ для построения мощных и компактных импульсных источников питания на напряжение до 800В. Его основное преимущество — низкое Rds(on) в сочетании с высокой скоростью переключения. При необходимости замены существует широкий выбор прямых и функциональных аналогов от других производителей, но всегда требуется внимательная проверка datasheet на полное соответствие параметров.