Infineon SPW20N60S5FKSA1

Артикул: 564898

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon SPW20N60S5FKSA1

Отличный выбор! Infineon SPW20N60S5FKSA1 — это мощный и надежный силовой MOSFET транзистор, спроектированный для высокоэффективных и требовательных применений. Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Описание и основные особенности

SPW20N60S5FKSA1 — это N-канальный MOSFET, изготовленный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™ S5) от Infineon. Это ключевое преимущество, которое обеспечивает:

Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): Минимизирует проводимые потери и нагрев при высокой нагрузке.
Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов) в схемах.
Отличная устойчивость к перегрузкам: Технология S5 оптимизирована для работы в жестких условиях.
Высокая эффективность: Идеально подходит для применений, где критично снижение энергопотребления и тепловыделения.

Корпус: TO-247. Классический и широко распространенный корпус для мощных компонентов, обеспечивающий хороший отвод тепла через радиатор.

Основное назначение: Преобразование энергии в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях:

PFC (корректор коэффициента мощности)
LLC-резонансные преобразователи
Прямоходовые и мостовые преобразователи
Также применяется в инверторах, драйверах моторов и системах ИБП.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

При температуре 25°C, если не указано иное:

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 | В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток стока | I_D | 20 | А | При T_c = 25°C | | Сопротивление "сток-исток" | R_DS(on) | 0.19 | Ом | При V_GS = 10 В | | Заряд затвора | Q_g | 60 | нКл | Типовое значение, влияет на управление | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 | В | Стандартный уровень управления | | Макс. мощность рассеяния | P_tot | 300 | Вт | На пластине корпуса (с радиатором) | | Диод обратного восстановления | Q_rr | 1.35 | мкКл | Низкий заряд восстановления встроенного диода | | Температура хранения/перехода | T_stg, T_j | от -55 до +150 | °C | Максимум +150°C для p-n перехода |

Важное примечание: Многие параметры, особенно ток (I_D) и мощность (P_tot), сильно зависят от условий теплоотвода. Для работы на полную мощность обязательно использование качественного радиатора.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот транзистор может иметь различные парт-номера в зависимости от упаковки (катушка, коробка) или незначительных маркировочных нюансов, но электрически это одно и то же устройство.

SPW20N60S5 — основное название семейства.
SPW20N60S5FKSA1 — полный номер, где уточняются детали поставки (например, упаковка).
SPW20N60S5-1 — также возможный вариант.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске аналога важно смотреть на ключевые параметры: V_DSS (600В), I_D (~20А), R_DS(on) (~0.19 Ом), корпус TO-247 и технологию Super Junction / CoolMOS.

Ближайшие прямые аналоги:

Infineon: IPP20N60S5-1 (аналогичная серия CoolMOS S5, практически идентичные параметры).
STMicroelectronics: STW20N60S5 (серия MDmesh™ V, очень близкие характеристики).
ON Semiconductor (Fairchild): FCP20N60S5 (серия SuperFET®, хорошая альтернатива).
Vishay (Siliconix): SUD20N60-50 (серия PowerMOS, технология TrenchFET®).

Аналоги с улучшенными/другими параметрами (для замены при модернизации или в новых проектах):

Более новые поколения Infineon (меньше R_DS(on) или выше частота):
- CoolMOS™ C7 / G7: IPW60R041C7, IPW60R040C7 (намного ниже сопротивление, но может требовать пересмотра драйвера).
- CoolMOS™ P7 / PFD7: IPA60R040P7, IPA60R099P7 (оптимизированы для PFC и LLC).
Аналоги в корпусе TO-220: Если требуется меньшая мощность (хуже теплоотвод).
- Infineon: IPP20N60S5 (в TO-220).
- STMicroelectronics: STP20N60S5.