Infineon T1329N22TOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для Infineon T1329N22TOF.

Краткое описание

Infineon T1329N22TOF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™. Он предназначен для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других цепях, где требуются низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевая особенность данной модели — низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) всего 2.2 мОм при напряжении затвора 10 В. Это обеспечивает минимальные тепловые потери в режиме проводимости. Корпус TO-220 FullPAK (без отверстия для крепления, с изолированной задней металлической частью) позволяет упростить монтаж и улучшить теплоотвод через изолированный радиатор без необходимости использования прокладок.

Основные преимущества:

• Крайне низкое RDS(on) для высокой эффективности.
• Высокая стойкость к перегрузкам (высокий импульсный ток).
• Оптимизирован для работы в жестких ключевых схемах (fast switching).
• Полностью изолированный корпус (FullPAK) для удобства монтажа.
• Соответствие стандарту RoHS.

Технические характеристики (Key Parameters)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Технология OptiMOS™ | | Корпус | TO-220 FullPAK | Изолированный, 3 вывода | | Стандарт | RoHS Compliant | | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 55 В | Максимальное напряжение | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 2.2 мОм (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 30 А | | | 3.0 мОм (макс.) | При V_GS = 4.5 В, I_D = 20 А | | Постоянный ток стока (I_D) | 120 А | При T_C = 25°C | | Импульсный ток стока (I_DM) | 480 А | | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 294 Вт | При T_C = 25°C | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.0 - 4.0 В | Тип. 3.0 В | | Емкость "затвор-сток" (C_rss) | ~ 140 пФ | Типовое значение, влияет на скорость переключения | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 110 нКл | Типовое значение (важно для расчета драйвера) | | Температура хранения/перехода | от -55 до +175 °C | |

Парт-номера и аналоги (Part Numbers & Cross-Reference)

Официальные парт-номера для одного и того же кристалла в разных корпусах или с разными префиксами:

• Основной заказной номер: T1329N22TOF
• Также может встречаться как: SPT1329N22TOF (более старый префикс "SPT" от Infineon/International Rectifier).

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей (с очень близкими параметрами):

При поиске замены необходимо сверять V_DSS, I_D, R_DS(on), заряд затвора (Q_g) и корпус.

1. В корпусе TO-220 FullPAK / TO-220FP:

   • STMicroelectronics: STP110N4F6, STP120N4F6 (хотя Rds(on) у них обычно чуть выше).
   • Vishay/Siliconix: SUD110N04-06 (серия TrenchFET®).
   • ON Semiconductor: FDP110N04 (аналогично, требуется проверка параметров).

2. В стандартном корпусе TO-220 (не изолированном):

   • Infineon: IPP110N20NFD (более новое поколение, возможно, с лучшими параметрами).
   • Vishay: SQJA60EP-T1_GE3.
   • Важно: При замене на не изолированный корпус (обычный TO-220) обязательно использовать изолирующую прокладку и втулку для крепления к радиатору.

3. В более современных/компактных корпусах (для нового дизайна):

   • Infineon: Аналоги в корпусах D²PAK (TO-263), SuperSO8 или LFPAK (например, BSC010N04LS) могут иметь сопоставимые или лучшие электрические параметры, но требуют другой разводки печатной платы.

Области применения (Typical Applications)

• Силовые цепи материнских плат и графических ускорителей (VRM): Цифровые стабилизаторы напряжения для процессоров и памяти.
• DC-DC преобразователи: Высокоточные понижающие (buck) и повышающие (boost) преобразователи.
• Управление двигателями: H-мосты для управления двигателями постоянного тока, сервоприводы.
• Синхронное выпрямение: В блоках питания с высокой выходной мощностью.
• Инверторы и источники бесперебойного питания (ИБП).
• Системы управления батареями (BMS).

Важные замечания при использовании

1. Драйвер затвора: Из-за значительного заряда затвора (Q_g ~110 нКл) необходим достаточно мощный драйвер, способный быстро заряжать и разряжать входную емкость MOSFET. Слабый драйвер приведет к большим потерям на переключение и перегреву.
2. Тепловой режим: Несмотря на низкое R_DS(on) и корпус с хорошей теплопередачей, при больших токах необходим адекватный теплоотвод. Расчет радиатора обязателен.
3. Паразитные индуктивности: Для работы на высоких частотах переключения (десятки-сотни кГц) критически важна минимальная длина проводников в силовой цепи (особенно цепи стока) для подавления выбросов напряжения.

Рекомендация: Для выбора точного аналога или подтверждения замены всегда используйте последние официальные даташиты (datasheet) от Infineon и производителя-кандидата на замену, сравнивая не только базовые, но и динамические характеристики в ваших конкретных условиях работы (температура, ток, частота).