Infineon TAE2453G

Артикул: 564974

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon TAE2453G

Отличный выбор! Infineon TAE2453G — это очень популярный и надежный силовой полевой транзистор (MOSFET) в корпусе TO-220, широко используемый в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, цепях управления двигателями и как ключевой элемент в силовой электронике.

Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

TAE2453G — это N-канальный MOSFET, оптимизированный для высокоэффективного переключения при низких напряжениях затвора. Его ключевые преимущества:

Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 2.4 мОм при напряжении затвора 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев.
Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям и оптимальной конструкции.
Работа от логического уровня (Logic Level): Полноценно открывается уже при напряжении на затворе VGS = 10 В (характеристики приводятся для этого напряжения), а часто начинает проводить ток уже от 4-5 В, что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (5 В) или стандартных драйверов.
Корпус TO-220: Удобен для монтажа, обладает хорошим теплоотводом (требуется радиатор при больших токах).

Основное назначение: Применяется в качестве синхронного выпрямителя во вторичной стороне импульсных блоков питания (например, для компьютеров, серверов), в низковольтных DC-DC преобразователях (например, понижающие стабилизаторы), в системах управления батареями и в силовых ключах H-мостов для моторов.

Технические характеристики (Datasheet Infineon)

Основные электрические параметры (при Tj = 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | - | N-Channel MOSFET | - | | Корпус | - | TO-220 | - | | Макс. напряжение "Сток-Исток" | V_DSS | 30 В | - | | Макс. непрерывный ток стока | I_D | 75 А | При T_C = 25°C | | Макс. импульсный ток стока | I_DM | 300 А | - | | Сопротивление "Сток-Исток" | R_DS(on) | 2.4 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 40 А | | | | 3.0 мОм (макс.) | V_GS = 4.5 В, I_D = 20 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 1.0 - 2.5 В | I_D = 250 мкА | | Макс. напряжение "Затвор-Исток" | V_GS | ±20 В | - | | Общий заряд затвора | Q_g | ~ 120 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Время включения / выключения | t_d(on) / t_d(off) | ~ 15 нс / 50 нс (тип.) | - | | Диод обратного восстановления | Q_rr | 170 нКл (тип.) | - | | Макс. рассеиваемая мощность | P_tot | 125 Вт | При T_C = 25°C | | Температура перехода | T_j | от -55 до +175 °C | - | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_thJC | 1.0 °C/Вт | - |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Часто один и тот же кристалл MOSFET продается под разными номерами в зависимости от производителя, партнерской программы или незначительных изменений в тестировании.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon/Old Brands:

IPP045N03L G - Очень близкий аналог от Infineon (серия OptiMOS), с практически идентичными параметрами. Часто используется взаимозаменяемо.
IRF7413 - Аналог от International Rectifier (ныне часть Infineon).
BUK950R2-30E - Аналог от NXP (старая линейка).

Аналоги от других популярных производителей (Внимание! Всегда сверяйтесь с даташитом перед заменой):

Совместимые и похожие модели (для выбора в проектах)

Если TAE2453G недоступен, или нужен компонент с другими параметрами, можно рассмотреть модели из этой же "весовой категории":

Для более высокого напряжения (до 40-60В):
- IRF3205 (55V, 110A, 8.0 мОм) - классика, но с большим RDS(on).
- IPP040N06N (60V, 40A, 4.0 мОм) - от Infineon.
- STP60NF06 (60V, 60A, 14 мОм).
Для еще более низкого RDS(on) (сверхнизкие потери):
- IPP023N03L (30V, 100A, 1.7 мОм) - более мощный и эффективный.
- IRF3710 (100V, 57A, 23 мОм) - на большее напряжение, но выше сопротивление.
В корпусе TO-220 с логическим уровнем:
- IRFZ44N (55V, 49A, 22 мОм) - менее мощный, но очень дешевый и распространенный.
- IRF7416 (30V, 50A, 6.0 мОм) - менее мощный аналог.

Важное примечание по замене:

При замене всегда обращайте внимание на ключевые параметры: V_DSS (должно быть не меньше), I_D (желательно не меньше), R_DS(on) (желательно не больше) и заряд затвора Q_g (важно для скоростных схем, влияет на нагрузку драйвера). Также проверяйте распиновку (pinout) корпуса.