Infineon TD60N16SOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon TD60N16SOF.

Описание

Infineon TD60N16SOF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный в современном и компактном корпусе TO-252 (DPAK). Он является частью линейки OptiMOS™ 5, которая известна своим исключительно низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и высокими показателями эффективности.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая эффективность: Благодаря низкому RDS(on) уменьшаются потери на проводимость и нагрев, что особенно критично для импульсных источников питания.
• Быстрое переключение: Оптимизирован для работы на высоких частотах, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов) в конечном устройстве.
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к импульсным перегрузкам (Avalanche Rated).
• Компактный корпус: TO-252 предлагает хороший баланс между площадью теплоотвода и занимаемым местом на плате.
• Основные сферы применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS), особенно в первичной стороне (хостовой преобразователь, PFC).
  • DC-DC преобразователи.
  • Управление двигателями (в драйверах моторов).
  • Синхронное выпряление во вторичной стороне БП.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Плоский, для поверхностного монтажа (SMD) | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Постоянный ток стока (ID @ 25°C) | 16 А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 64 А | Максимальный кратковременный импульсный ток | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.28 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 8 А. Ключевой параметр для эффективности. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 45 нКл (тип.) | При VGS = 10 В. Влияет на скорость переключения и потери на управление. | | Макс. напряжение затвор-исток (VGS)| ±30 В | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Очень низкий | Характерно для OptiMOS™ 5, снижает потери при коммутации. | | Энергия лавинного пробоя (EAS) | 480 мДж | Указывает на стойкость к индуктивным выбросам напряжения. | | Температура перехода (Tj)| -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. | | Тепловое сопротивление (RthJC)| 1.5 °C/Вт | От кристалла (junction) к корпусу (case). |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Инфинеон часто использует единую базовую часть номера, но с разными суффиксами, указывающими на упаковку.

• TD60N16SOFXTMA1 — Стандартный парт-номер для заказа в ленте (Tape & Reel). Именно его чаще всего используют при проектировании и заказе для автоматизированной сборки (SMD-монтажа).
• SP000608971 — Внутренний идентификатор Infineon или номер в некоторых каталогах дистрибьюторов.

Совместимые модели / Прямые аналоги

При поиске аналога или замены необходимо учитывать ВСЕ ключевые параметры: напряжение 600В, ток 16А, низкое RDS(on), корпус TO-252 и динамические характеристики (заряд Qg).

1. Прямые аналоги от Infineon (той же линейки OptiMOS™ 5):

• IPP60R280P7XKSA1 — Почти полный аналог в корпусе TO-220 (THT). Для замены в новом проекте, если нужен другой тип монтажа.
• TD55N16SOF — Близкий аналог с напряжением 550В и чуть лучшим RDS(on). Может быть заменой в схемах, где рабочее напряжение ниже 500В.
• SPW47N60C3 (из более старой линейки CoolMOS™ C3) — Может рассматриваться как аналог по напряжению и току, но с худшими динамическими характеристиками (выше RDS(on) и Qg). Замена возможна, но с потерей общей эффективности.

2. Аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics: STF16N60M2 (линейка MDmesh™ M2). Хороший аналог по основным параметрам.
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP16N60 или FCPF16N60. Требуется проверка даташита на соответствие RDS(on) и Qg.
• Vishay (Siliconix): SUD16N06-60 (линейка PowerMOS).
• IXYS (Littelfuse): Аналоги с напряжением 600В в корпусе DPAK.

Важное предупреждение: Перед заменой обязательно необходимо:

1. Сравнить даташиты обоих компонентов.
2. Убедиться в совпадении или улучшении ключевых параметров (VDS, ID, RDS(on), Qg, VGS(th)).
3. Проверить распиновку (pinout) корпуса, так как в одном и том же корпусе у разных производителей она может отличаться.
4. Учесть различия в динамических характеристиках, которые могут повлиять на работу схемы управления (драйвера) и общую эффективность.

Рекомендация: Для новых проектов всегда стоит проверять актуальность модели на официальном сайте Infineon, так как линейки постоянно обновляются (например, уже существуют более новые OptiMOS™ 6 и 7).