Infineon TDB6HK95N12LOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon TDB6HK95N12LOF.

Общее описание

Infineon TDB6HK95N12LOF — это N-канальный MOSFET для мощных силовых приложений, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 6 120V. Этот транзистор предназначен для использования в качестве ключа (переключателя) в цепях с высокими токами и частотами, где критически важны высокий КПД, надежность и компактные размеры.

Ключевая идея: Это высокопроизводительный "строительный блок" для управления большими мощностями (например, включением/выключением моторов, преобразованием напряжения) с минимальными потерями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Пояснение / Важность | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Стандартный для силовых ключей в низковольтных цепях. | | Технология | OptiMOS™ 6, 120V | Поколение, оптимизированное для низких потерь проводимости и переключения. | | Структура корпуса | TDSON-8 8x8 (PG-HDSOP-22-1) | Современный корпус с открытой нижней площадкой для отвода тепла. Пайка на печатную плату. | | Сток-Исток напряжение (V_DS) | 120 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока (I_D) при T_C=25°C | 180 А | Максимальный ток, который может проводить транзистор в открытом состоянии (при условии идеального охлаждения). | | Сопротивление канала в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.95 мОм (макс.) при V_GS=10 В | Главный параметр! Определяет потери на нагрев при проводимости. Чем меньше, тем лучше. Очень низкое значение. | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 625 Вт | Теоретический предел рассеивания тепла (на практике ограничивается системой охлаждения). | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.3 - 3.7 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Заряд затвора (Q_g) | ~170 нКл (тип.) | Параметр, критичный для скорости переключения. Определяет требования к драйверу затвора. | | Температура хранения/перехода | -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. |

Ключевые преимущества технологии OptiMOS™ 6:

• Сверхнизкое R_DS(on): Минимальные потери проводимости и нагрев.
• Высокая эффективность переключения: Оптимизированная внутренняя структура для быстрого включения/выключения.
• Высокая стойкость к перегрузкам: Хорошая способность работать в условиях короткого замыкания (SC).
• Отличное соотношение цена/производительность.

Типовые области применения

• Силовые преобразователи: Высокотоковые синхронные выпрямители, понижающие (Buck) и повышающие (Boost) DC-DC преобразователи.
• Управление двигателями: Приводы в электромобилях, промышленные моторы, силовые агрегаты (eAxle), сервоприводы.
• Сварочное оборудование: Инверторные источники сварочного тока.
• Источники бесперебойного питания (ИБП): Силовые ключи в инверторах.
• Солнечные инверторы: Низковольтные секции.

Парт-номера и совместимые модели

1. Прямые аналоги (Cross-Reference) от Infineon:

Модель TDB6HK95N12LOF является частью семейства. Ближайшие аналоги с разными корпусами или незначительно отличающимися параметрами:

• IPB6HK95N12LOFATMA1 — Аналог в корпусе TO-263-7 (D²PAK), более удобном для монтажа на радиатор винтом. Это самый популярный и прямой функциональный аналог в другом корпусе.
• IB6HK95N12LOF — Версия в корпусе TO-263-7 (D²PAK) без буквы "P" в начале (может относиться к другой серии поставок).
• Другие транзисторы из семейства OptiMOS™ 6 120V с близкими параметрами R_DS(on) и током (например, 130А, 210А) могут подходить после перерасчета потерь.

2. Аналоги от других производителей (требуют тщательной проверки даташитов и распиновки!):

Прямых 100% клонов нет, но аналогичные по характеристикам MOSFET 120V предлагают:

• ON Semiconductor (ныне часть of onsemi): Серия NTMFS6H* или FDBL86*.
• STMicroelectronics: Модели из серии STL* (например, STL320N12F7).
• Vishay / Siliconix: Модели из серии SIC*.
• Nexperia: Мощные MOSFET в корпусах LFPAK.
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS): Серия AOT*.

Важное замечание по совместимости: При замене необходимо проверять не только основные параметры (V_DS, I_D, R_DS(on)), но и:

• Распиновку (pinout) корпуса.
• Динамические характеристики (Q_g, C_iss), чтобы драйвер затвора справлялся с управлением.
• Рекомендуемую область на печатной плате (Footprint). Корпус TDSON-8 и D²PAK имеют разные посадочные места.

Вывод

Infineon TDB6HK95N12LOF — это современный, высокоэффективный силовой MOSFET, созданный для требовательных приложений, где на первом месте стоит энергоэффективность и компактность. Его главный конкурентный параметр — рекордно низкое сопротивление в открытом состоянии (0.95 мОм). Основным прямым аналогом для замены, особенно если требуется крепление на радиатор винтом, является модель IPB6HK95N12LOFATMA1 в корпусе D²PAK. Для выбора аналога от других брендов необходим тщательный инженерный анализ.