Infineon TT105N12LOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon TT105N12LOF.

Общее описание

Infineon TT105N12LOF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Он предназначен для применения в высокоэффективных и компактных силовых электронных устройствах, где критически важны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Благодаря рекордно низкому сопротивлению в открытом состоянии (Rds(on)) и превосходным динамическим характеристикам.
• Оптимизация для синхронного выпрямения: Идеально подходит для использования в качестве нижнего (синхронного) ключа в импульсных источниках питания (например, в схемах LLC, полумоста, полного моста).
• Высокая стойкость к перегрузкам: Обладает высокой стойкостью к импульсным току и напряжению (Avalanche Rated), что повышает надежность системы.
• Низкий заряд затвора (Qg): Позволяет снизить потери на управление и упростить драйвер.
• Корпус TO-Leadless (TOLL): Современный корпус с низким профилем и отличными тепловыми и электрическими характеристиками. Площадь монтажа на печатную плату совпадает с TO-263 (D²Pak), но высота значительно меньше, а паразитная индуктивность выводов снижена.

Типичные области применения:

• Синхронное выпряление в серверных, телекоммуникационных и промышленных блоках питания.
• Высокочастотные импульсные источники питания (SMPS).
• Источники питания для систем ИИ и майнинга.
• DC-DC преобразователи высокой мощности.
• Системы управления двигателями (инверторы).

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DS | 120 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление в открытом состоянии | R_DS(on) | 1.05 мОм (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 60 А | | | | 1.35 мОм (макс.) | При V_GS = 4.5 В, I_D = 60 А | | Постоянный ток стока | I_D | 195 А | При T_C = 25°C | | | | 140 А | При T_C = 100°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 780 А | Максимальный импульсный ток | | Мощность рассеяния | P_tot | 294 Вт | При T_C = 25°C | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.3 - 3.7 В | Тип. 3.0 В | | Общий заряд затвора | Q_g(tot) | 88 нКл (тип.) | При V_DS = 60 В, V_GS = 10 В | | Заряд затвора "исток-сток" | Q_GD | 13 нКл (тип.) | Критичный параметр для скорости переключения | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_thJC | 0.42 К/Вт | | | Диод обратного восстановления | Q_rr | 140 нКл (тип.) | Важно для синхронного выпрямения | | Корпус | - | TO-Leadless (TOLL) | Infineon PG-TOLL-7-1 |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Прямые аналоги и модели, находящиеся в одном классе (120В, ~1 мОм, TOLL), которые могут рассматриваться для замены или в новых разработках. Внимание: Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитами, особенно по распиновке и динамическим характеристикам.

1. Аналоги от Infineon (технология OptiMOS™ 5/6):

• TT130N12LOF - Ближайший аналог с чуть более высоким Rds(on) (1.30 мОм), часто имеет лучшую доступность или цену.
• TT085N12LOF - Более эффективная модель с Rds(on) = 0.85 мОм (выше класс).
• IPT065N12N5 (OptiMOS™ 5) или IPT065N12N6 (OptiMOS™ 6) - Аналоги в корпусе D²Pak (TO-263). Требуют переразводки платы, но электрически очень близки.
• IAUT300N12S5N015 - Модель из серии OptiMOS™ 5 для автомобильных применений (AEC-Q101), в корпусе TOLL.

2. Аналоги от других производителей (конкуренты):

• ON Semiconductor (ныне onsemi):
  • NVMFS5C410NL (100В, 0.97 мОм) - Очень близкий конкурент в корпусе TOLL.
• Vishay Siliconix:
  • SIC086NE - Модель в похожем корпусе (PowerPAK® 8x8).
• STMicroelectronics:
  • STL320N12F7 (120В, 1.2 мОм) - Аналог в корпусе H²PAK-7 (аналог TOLL).
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
  • AOTL08S120 (120В, 0.8 мОм) - Модель в корпусе TOLL.

3. Важные примечания по совместимости:

• Корпус TOLL: Стандартизирован по габаритам, но распиновка (pinout) может отличаться у разных производителей! Всегда проверяйте расположение выводов (Gate, Drain, Source, Sense) на footprint.
• Характеристики диода: Для синхронного выпрямения критически важны параметры встроенного обратного диода (Qrr, trr). Их нужно сравнивать при замене.
• Задержки включения/выключения: Могут незначительно отличаться, что важно для схем с жестким коммутацией и мертвым временем (dead-time).

Рекомендация: Для поиска актуальных аналогов и проверки наличия на рынке используйте агрегаторы электронных компонентов, такие как LCSC, FindChips, Octopart, или официальные инструменты подбора на сайтах производителей (Infineon, onsemi и др.).