Infineon TT425N12KOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon TT425N12KOF.

Общее описание

TT425N12KOF — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Это компонент, оптимизированный для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике. Его ключевые особенности — чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)) и высокая скорость переключения, что минимизирует потери на проводимость и переключение.

Основное назначение: применение в синхронных выпрямителях и цепях переключения в источниках питания (например, серверных, телекоммуникационных, промышленных), DC/DC преобразователях, мощных инверторах и системах управления двигателями.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement mode (нормально закрытый) | | Технология | OptiMOS 5 | | | Корпус | TO-220 | Открытый, с отверстием для крепления на радиатор | | Полярность | Single | | | Структура | TrenchFET | | | Напряжение "сток-исток" (V DSS) | 120 В | Максимальное постоянное напряжение | | Непрерывный ток стока (I D) | 425 А | При температуре корпуса (T C) = 25°C | | Импульсный ток стока (I DM) | 1700 А | | | Сопротивление открытого канала (R DS(on)) | 0,85 мОм (макс.) | Ключевой параметр. При V GS = 10 В, I D = 210 А | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 2.5 - 4.0 В | Тип. 3.2 В | | Заряд затвора (Q g) | ~ 350 нКл (тип.) | Влияет на драйвер затвора. При V GS = 10 В | | Макс. мощность рассеяния (P D) | 625 Вт | При T C = 25°C (с идеальным теплоотводом) | | Температура перехода (T J) | -55 … +175 °C | Максимальная рабочая +175°C | | Тепловое сопротивление (R thJC) | 0.2 К/Вт | Переход-корпус |

Основные преимущества:

• Сверхнизкие потери: Благодаря рекордно низкому R DS(on) для своего класса.
• Высокая эффективность: Позволяет создавать КПД источников питания >98%.
• Высокая перегрузочная способность: Выдерживает большие импульсные токи.
• Работа на высоких частотах: Оптимизирован для частот переключения в десятки и сотни кГц.

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Парт-номер TT425N12KOF является уникальным для Infineon. Однако на рынке существуют прямые или близкие аналоги от других производителей, а также модификации в других корпусах от самого Infineon.

1. Аналоги и совместимые модели от других производителей (прямая или близкая замена):

При поиске аналога необходимо сверять ключевые параметры: V DSS = 120В, I D ~425А, R DS(on) ~0.85 мОм, корпус TO-220.

• ON Semiconductor (ныне часть onsemi):
  • FDPF425N12T - Очень близкий аналог по характеристикам и корпусу.
• Vishay / Siliconix:
  • SUD425N12-85 - Прямой конкурент в том же корпусе.
• STMicroelectronics:
  • STH425N12S-6 - Аналог в корпусе TO-247 (мощнее), требует проверки layout платы.
  • Нужно искать модели серии STx с аналогичными параметрами.
• Texas Instruments:
  • Фокус на драйверы, мощные MOSFET в таком классе представлены меньше.

Важно: Перед заменой обязательно сверяйте даташиты, особенно по:

• Распиновке (pinout) корпуса.
• Характеристикам заряда затвора (Q g, Q gd) для настройки драйвера.
• Внутренней структуре (наличие встроенного диода, его параметры).

2. Модификации в других корпусах от Infineon (внутрисемейственные):

Часто один и тот же кристалл (чип) выпускается в разных корпусах для разных задач охлаждения и монтажа.

• TT425N12KOF - TO-220 (открытый, для монтажа на радиатор через изоляцию).
• IPT425N12N5ATMA1 - TO-262 (D²PAK, для мощного поверхностного монтажа SMD). Ближайший SMD-аналог.
• IAUC425N12S5N015ATMA1 - TO-263 (D²PAK 7pin / D²PAK-7). Может иметь дополнительные выводы для лучшего тока и тепла.
• Для еще более высоких токов и лучшего охлаждения Infineon предлагает серию в корпусе TO-247. Номер будет начинаться с TTxxxN12K5... (например, с более низким R DS(on)).

3. Ключевые слова для поиска аналогов:

• 120V 425A MOSFET TO-220
• 120V N-channel MOSFET <1mOhm
• OptiMOS 5 competitor
• Sync rectifier MOSFET 120V

Области применения

• Синхронное выпрямление: Вторичная сторона импульсных блоков питания (SMPS) для серверов, GPU, AI-ускорителей.
• Цепи преобразования DC/DC: Высокотоковые понижающие (buck) и повышающие (boost) преобразователи.
• Силовые инверторы: Для солнечной энергетики, ИБП, электропривода.
• Управление двигателями: В драйверах мощных бесщеточных (BLDC) моторов, сервоприводах.
• Системы защиты: В цепях мощных ключей (e-fuse).

Заключение

Infineon TT425N12KOF — это высококлассный силовой MOSFET, задающий стандарт эффективности для решений на 120В. При его замене или выборе аналога критически важно обращать внимание не только на "цифры в названии" (425А, 120В), но и на динамические параметры (заряды, емкости) и конструктив корпуса, которые напрямую влияют на работу итоговой схемы.