Infineon TTW3C95N12KOF

Infineon TTW3C95N12KOF
Артикул: 565296

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon TTW3C95N12KOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового ключа Infineon TTW3C95N12KOF.

Описание

Infineon TTW3C95N12KOF — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Данная серия известна своими превосходными характеристиками, которые делают этот компонент идеальным решением для высокоэффективных и компактных силовых приложений.

Ключевые особенности и преимущества:

  • Сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Это главное преимущество, которое обеспечивает минимальные потери на проводимость и, как следствие, высокий КПД системы и меньшее тепловыделение.
  • Высокая эффективность переключения: Благодаря оптимизированной технологии, транзистор способен работать на высоких частотах, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов) в конечном устройстве.
  • Высокий ток стока (ID): Способен выдерживать значительные токи, что делает его применимым в мощных преобразователях и системах управления двигателями.
  • Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает схему управления, снижая требования к драйверу затвора.
  • Корпус D2PAK (TO-263-3): Надежный и популярный корпус для силовых приложений с хорошими тепловыми характеристиками, позволяющий эффективно отводить тепло на радиатор.

Основные области применения:

  • Силовые источники питания (Server, Telecom, Industrial SMPS)
  • Синхронное выпряление в AC/DC и DC/DC преобразователях
  • Системы управления двигателями и приводы
  • Инверторы и сварочное оборудование
  • Солнечные инверторы и системы возобновляемой энергии

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | OptiMOS 5 | | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Структура | Power MOSFET | | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 120 В | | | Непрерывный ток стока (ID) при 25°C | 195 A | | | Импульсный ток стока (IDpulse) | 780 A | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.95 мОм (миллиОм) | @ VGS = 10 V | | | 1.15 мОм | @ VGS = 4.5 V | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.7 - 3.9 В | Типичное 3.3 В | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 156 нКл | @ VGS = 10 V | | Корпус | D2PAK (TO-263-3) | | | Связь с кристаллом | Прямая (Non-Isolated) | Корпус электрически соединен со стоком |


Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и альтернативные парт-номера для TTW3C95N12KOF можно разделить на несколько категорий.

1. Прямые парт-номера от Infineon

Это точно такая же деталь, но в разных корпусах или с разной маркировкой для различных производственных цепочек.

  • IPP095N12N5 — аналог в корпусе TO-220.
  • IPT095N12N5 — аналог в корпусе D2PAK (TO-263), полностью эквивалентен по электрическим параметрам.

2. Функционально совместимые аналоги от других производителей

Эти модели имеют схожие ключевые параметры (напряжение 100-150В, низкое RDS(on), высокий ток) и могут использоваться в тех же схемах при условии проверки на совместимость по выводам и тепловому режиму.

  • Vishay / Siliconix:

    • SQF95N12-10 (120 В, 95А, 1.0 мОм, D2PAK)
  • STMicroelectronics:

    • STH195N12F7 (120 В, 195А, 0.98 мОм, D2PAK) — очень близкий аналог.
  • ON Semiconductor / Fairchild:

    • FDP110N12F (120 В, 110А, 1.1 мОм, TO-247) — аналог в другом корпусе.
    • FDB110N12A (120 В, 110А, 1.1 мОм, D2PAK)
  • Texas Instruments:

    • CSD19536KCS (100 В, 150А, 2.3 мОм, TO-263) — обратите внимание, напряжение ниже.

Важное примечание по совместимости:

При замене одного компонента на другой, даже функционально совместимый, необходимо:

  1. Свериться с datasheet (технической документацией) на оба компонента.
  2. Убедиться в полном соответствии распиновки корпусов.
  3. Проверить ключевые параметры, особенно RDS(on), заряды затвора (Qg, Qgd), а также вольт-амперную характеристику (Vgs(th)).
  4. Провести анализ теплового режима, так как разные кристаллы могут иметь отличные тепловые характеристики даже при схожем RDS(on).

Для прямой замены без каких-либо доработок схемы наилучшим вариантом являются парт-номера от самого Infineon, такие как IPT095N12N5.

Товары из этой же категории