Infineon TZ430N12

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового транзистора Infineon TZ430N12.

Описание

Infineon TZ430N12 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C7. Этот транзистор принадлежит к семейству супер-Junction MOSFET и оптимизирован для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания (SMPS) и других силовых преобразовательных устройствах.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Технология CoolMOS™ C7 обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) в сочетании с низкими динамическими потерями (Eoss, Coss, Crss). Это позволяет достигать рекордных значений КПД, особенно в жестких режимах переключения (например, в LLC-резонансных преобразователях).
• Оптимизация для ZVS (Zero Voltage Switching): Транзистор спроектирован для работы в схемах с резонансным переключением (например, PFC, LLC), где происходит включение при нулевом напряжении (ZVS), что практически исключает потери на включение.
• Высокая надежность: Компонент обладает высокой устойчивостью к импульсным перенапряжениям (dv/dt) и обеспечивает высокую надежность системы.
• Низкие уровни электромагнитных помех (EMI): Благодаря оптимизированной внутренней структуре, транзистор генерирует меньше помех, что упрощает фильтрацию и соответствие стандартам EMI.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, телекоммуникационного оборудования, промышленной электроники.
• Резонансные преобразователи (LLC-полумосты и полные мосты).
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в импульсном режиме (Transition Mode или Critical Conduction Mode).
• Системы плавного пуска (Soft Start), инверторы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный Super-Junction MOSFET (CoolMOS C7) | - | | Стандартный парт-номер | TZ430N12 | - | | Корпус | TO-247 | Пластиковый, сквозное отверстие | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | 1200 В | - | | Максимальный непрерывный ток (I_D) | 4.8 А | При T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток (I_DM) | 19.2 А | - | | Сопротивление "Сток-Исток" в откр. сост. (R_DS(on)) | 430 мОм (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 2.4 А | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.5 В (тип.) | При I_D = 1 мА | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" (V_GS) | ±30 В | - | | Общий заряд затвора (Q_g) | 28 нКл (тип.) | При V_DS = 800 В, I_D = 2.4 А | | Выходная емкость (C_oss) | 37 пФ (тип.) | При V_DS = 25 В, f = 1 МГц | | Энергия обратного восстановления (E_rr) | 6.5 мкДж (тип.) | - | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 190 Вт | При T_C = 25°C |

Парт-номера (Ordering Codes)

Производитель Infineon использует различные парт-номера в зависимости от упаковки и типа ленты. Основные из них:

• TZ430N12 — Стандартное обозначение для одиночного компонента в трубке или россыпью.
• SP001387063 — Уникальный идентификатор продукта (например, в системах закупки).
• TZ430N12XKSA1 — Один из полных Ordering Codes, который может указывать на конкретную упаковку (например, на катушке/бухте).

При заказе всегда рекомендуется уточнять полный парт-номер у дистрибьютора.

Совместимые модели / Аналоги (Cross-Reference)

Поиск полного аналога всегда требует проверки даташитов и оценки параметров в конкретной схеме. TZ430N12 находится в узком классе высоковольтных MOSFET с очень низкой выходной емкостью. Прямые аналоги от других производителей найти сложно, но есть схожие по ключевым параметрам модели, которые можно рассматривать для замены после тщательной проверки на совместимость в вашей схеме.

Аналоги от других производителей:

1. STMicroelectronics:

   • STW12N120K5 — также 1200В, технология MDmesh™ K5, схожие динамические характеристики, корпус TO-247. Может быть хорошей альтернативой.

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FCP11N60NF / FCPF11N60NF — 600В, что значительно ниже. Не подходит для замены в высоковольтных частях схем.
   • Для 1200В серии от ON Semi стоит искать в семействах SuperFET или MJD. Прямого аналога с такими же Coss и Rds(on) может не быть.

3. Toshiba:

   • TK11A08W — 800В. Не подходит по напряжению.
   • TK31A60W — 600В. Не подходит по напряжению.

Совместимые модели от Infineon (внутренний кросс):

Лучшими и самыми безопасными аналогами являются другие транзисторы из того же семейства CoolMOS C7 с близкими параметрами. Они имеют схожую динамику и поведение.

• TZ400N12 — Более низкое Rds(on) (400 мОм), чуть более высокий ток. Прямая upgrade-замена, если требуется меньшая проводимость.
• TZ450N12 — Более высокое Rds(on) (450 мОм). Может рассматриваться как замена, если требования по потерям проводимости не столь критичны.
• IPP430N12N — Абсолютно та же самая кремниевая структура, что и у TZ430N12, но в корпусе TO-220 FullPAK. Это электрически полный аналог, но в другом корпусе (для монтажа на печатную плату). Идеален для замены, если позволяет конструктив и охлаждение.

Важное примечание по замене

При замене TZ430N12 на любую другую модель (даже от Infineon) обязательно необходимо:

1. Сравнить даташиты, уделив внимание динамическим параметрам: C_iss, C_oss, C_rss, Q_g, E_oss.
2. Проверить характеристики внутреннего динала (Body Diode), особенно время обратного восстановления (t_rr) и заряд (Q_rr), если он используется в мостовых схемах.
3. Убедиться, что драйвер затвора способен обеспечить необходимый ток для заряда/разряда затвора новой модели.