Infineon TZ600N20

Отличный выбор! Infineon TZ600N20 — это мощный и надежный IGBT-транзистор, разработанный для требовательных промышленных применений. Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

Infineon TZ600N20 — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, предназначенный для работы в ключевом режиме. Он сочетает в себе высокое входное сопротивление MOSFET и способность биполярного транзистора работать с большими токами и высокими напряжениями. Ключевая особенность — технология TrenchStop (Non Punch-Through, NPT), которая обеспечивает низкие потери проводимости и переключения, а также высокую стойкость к перегрузкам по току и короткому замыканию.

Основные области применения:

• Сварочное оборудование (инверторные источники)
• Промышленные приводы и частотные преобразователи
• Системы индукционного нагрева
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | NPT IGBT (TrenchStop) | Непробивная структура, устойчивая к перегрузкам | | Корпус | TO-247 | Стандартный трехвыводной корпус для монтажа на радиатор | | Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора (I_C @ 25°C) | 75 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток коллектора (I_C @ 100°C) | 40 А | При температуре корпуса 100°C | | Импульсный ток коллектора (I_CM) | 150 А | Максимальный кратковременный импульсный ток | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.45 В (тип.) | При I_C = 60А, V_GE = 15В | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 3.0 В (макс.) | | | Напряжение управления затвором (V_GE) | ±20 В | Стандартный диапазон для IGBT | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5.0 В (тип.) | | | Общий заряд затвора (Q_g) | 270 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера | | Энергия включения (E_on) | 3.8 мДж (тип.) | При 600В, 60А, R_G=1.8 Ом | | Энергия выключения (E_off) | 2.5 мДж (тип.) | При 600В, 60А, R_G=1.8 Ом | | Время выключения при КЗ (t_sc) | 10 мкс (тип.) | Высокая устойчивость к короткому замыканию | | Максимальная температура перехода (T_vj) | +175 °C | | | Сопротивление переход-корпус (R_thJC) | 0.25 К/Вт | Тепловое сопротивление |

Ключевые преимущества:

1. Высокое напряжение 1200В: Позволяет работать в схемах с сетевым напряжением 380В.
2. Низкое V_CE(sat): Обеспечивает малые потери на проводимость и высокий КПД.
3. Плавный характер выключения (Soft Switching): Снижает электромагнитные помехи и потери на переключение.
4. Широкая область безопасной работы (SOA): Устойчивость к перегрузкам.
5. Интегрированный быстрый обратный диод: Позволяет работать с индуктивной нагрузкой.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальное полное наименование от Infineon: IKW75N120T2.

• TZ600N20 — это, скорее всего, внутренний или устаревший код производителя или код, используемый на рынке/у дистрибьюторов. В официальных даташитах и современных каталогах Infineon используется обозначение IKW75N120T2.
• Полная маркировка на корпусе транзистора: IKW75N120T2.

Совместимые модели и аналоги от других производителей:

При поиске аналога важно учитывать напряжение (1200В), ток (60-75А), корпус (TO-247) и наличие встроенного диода.

| Производитель | Парт-номер | Примечание (степень совместимости) | | :--- | :--- | :--- | | Infineon | IKW75N120T2 | Прямая замена, оригинальная модель. | | Infineon | IKW75N120H3 | Более новая серия H3 (траншеи+ полевая пластина) с улучшенными динамическими характеристиками. Полный аналог. | | Fuji Electric | 2MBI75N-120 | Модуль, но одиночный IGBT с аналогичными параметрами. | | ON Semiconductor | NGTB75N120LWG | Очень близкий аналог (TO-247, 1200В, 75А, с диодом). | | STMicroelectronics | STGW75H120DF2 | Мощный IGBT с диодом в корпусе TO-247, хороший аналог. | | IXYS (Littelfuse) | IXGH75N120B3D1 | Аналог в корпусе TO-247. | | Microsemi | APT75GR120J | Аналог с похожими характеристиками. |

Важные замечания по замене:

1. Обязательно сверяйте распиновку (pinout) корпуса TO-247 у аналога. У большинства она стандартная (1-Gate, 2-Collector, 3-Emitter), но бывают исключения.
2. Внимание на параметры драйвера: Заряд затвора (Q_g) и пороговое напряжение (V_GE(th)) должны быть близки к оригиналу, чтобы существующая схема управления корректно работала.
3. Характеристики встроенного диода: Прямое падение (V_F) и время восстановления (t_{rr</sub.) могут отличаться, что важно для индуктивных нагрузок.}
4. Всегда изучайте актуальный даташит перед заменой, особенно в критичных по надежности применениях.

Рекомендация: Для гарантированной совместимости и надежности лучшей заменой для TZ600N20 является оригинальная модель Infineon IKW75N120T2 или ее более новая версия IKW75N120H3.