Fairchild 2N5856

Fairchild 2N5856 — это кремниевый N-канальный MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, схемах управления и переключения. Относится к классу RFE (RF & Power) транзисторов, широко использовался в военной, аэрокосмической и промышленной электронике.

Ниже — структурированное описание.

📋 Общее описание

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип прибора | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | | Производитель | Fairchild Semiconductor (ныне ON Semiconductor / onsemi) | | Технология | Silicon Planar | | Корпус | TO-39 (MO-002AA), 3 вывода (исток, сток, затвор) — металлический | | Особенности | Усиленный металлический корпус для отвода тепла, устойчивость к радиации (рад-хард версия SEI) | | Применение | Импульсные схемы, DC-DC преобразователи, драйверы, ВЧ-переключение |

⚙️ Технические характеристики (datasheet)

| Параметр | Обозначение | Значение | Ед. | |----------|-------------|----------|-----| | Напряжение сток-исток (макс.) | V_DS | 60 | В | | Напряжение затвор-исток (макс.) | V_GS | ±20 | В | | Ток стока (непрерывный) при Tc=25°C | I_D | 2 | А | | Импульсный ток стока | I_DM | 4 | А | | Сопротивление в открытом состоянии | R_DS(on) | 1,5 (при V_GS=10 В, I_D=1 А) | Ом | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 0,8…3,0 | В | | Крутизна передачи | g_fs | 0,7…1,5 (мин/тип) | См | | Входная ёмкость | C_iss | ~250 | пФ | | Выходная ёмкость | C_oss | ~80 | пФ | | Проходная ёмкость | C_rss | ~25 | пФ | | Время включения | t_on | ~20 | нс | | Время выключения | t_off | ~30 | нс | | Рассеиваемая мощность при Tc=25°C | P_D | 4,0 | Вт | | Рабочая температура перехода | T_J | −55…+150 | °C | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | ~30 | °C/Вт |

⚠️ Значения носят справочный характер — точные параметры зависят от партии и версии datasheet (Fairchild / National / onsemi).

🔢 Парт-номера и аналоги

Fairchild выпускала 2N5856 в нескольких вариантах исполнения и качества:

| Парт-номер | Описание | |------------|----------| | 2N5856 | Базовая коммерческая версия, TO-39 | | 2N5856A | Улучшенная версив с отбором по параметрам | | J2N5856 | JAN-версия (военное качество, JANTX/JANTXV) | | JANTX2N5856 | Военный отбор, MIL-PRF-19500 | | JANTXV2N5856 | Военный отбор высоконадёжный | | 2N5856UB | Бескорпусная (die) версия для гибридных сборок | | SEI 2N5856 | Рад-хард версия (Space Electronics Inc.) |

Функциональные аналоги / замена:

• 2N5857, 2N5858 (серия того же семейства)
• 2N6660, 2N6661 (близкие по параметрам N-MOSFET, но другие корпуса)
• VN10KM, VN10LP — маломощные аналоги
• IRFD110, IRFD120 — современные аналоги (Logic-level/DMOS)

🔌 Совместимые модели и цоколёвка

Цоколёвка TO-39 (вид снизу)

      ┌───┐
   G  │1  │
   S  │2  │   (корпус соединён со стоком — D, вывод 3)
   D  │3  │
      └───┘

Вывод корпуса (flange) — сток (D).

• Вывод 1 — Gate (G)
• Вывод 2 — Source (S)
• Вывод 3 / корпус — Drain (D)

Совместимые ГОСТовские модели (отечественные аналоги)

| Советский аналог | Тип | Применение | |------------------|-----|------------| | КП306, КП307 | N-MOSFET (кремниевый полевой) | Близкие параметры | | КП3117 | N-MOSFET с изолированным затвором | Маломощные импульсные схемы | | КП501, КП504 | Полевые ключевые | Совместимы по применению |

Полной прямой замены по всем параметрам среди отечественных компонентов нет — требуется пересчёт схемы.

Совместимость в схемах

2N5856 широко использовался в:

• Импульсных блоках питания (SMPS)
• Стабилизаторах и DC-DC преобразователях
• Драйверах реле/ламп (автомобильная электроника)
• ВЧ-усилителях (драйверные каскады)
• Схемах защиты от перегрузок

✅ Итог

2N5856 — надёжный маломощный N-MOSFET 60 В / 2 А в металлическом корпусе TO-39, актуален для военной, космической и промышленной аппаратуры. Сегодня выпуска участ? Производство поддерживается onsemi (после слияния с Fairchild). При проектировании новых схем чаще заменяется современными MOSFET (например, BS170, 2N7000, IRF710).

Для точных данных всегда сверяйтесь с актуальным datasheet от ON Semiconductor по файлу 2N5856.pdf.