Fairchild FQP11N50

Конечно. Fairchild FQP11N50 (теперь производится под брендом onsemi, так как Fairchild была поглощена компанией ON Semiconductor) — это классический мощный MOSFET с очень хорошей репутацией. Часто используется в блоках питания, инверторах, сварочных аппаратах и усилителях мощности.

Ниже представлено подробное описание, характеристики, аналоги и особенности применения.

1. Общее описание

FQP11N50 — это N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), выполненный по Planar технологии с улучшенной структурой затвора (QFET — "Quad Fet" / Planar-stripe).

Ключевая особенность:

• Улучшенная технология QFET обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую скорость переключения.
• Предназначен для высоковольтных импульсных источников питания (SMPS), силовой электроники.

Корпус: TO-220 (классический трехвыводной корпус с теплоотводом-«пятаком»).

2. Технические характеристики (Datasheet)

| Параметр | Значение | Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип канала | N-канал (N-Channel) | Улучшение (Enhancement Mode) | | Полярность | Управляется напряжением | | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 В | Максимальное напряжение пробоя | | Напряжение затвор-исток (V_GSS) | ±30 В | Максимальное напряжение затвора | | Постоянный ток стока (I_D) | 11 А | При T_C = 25°C | | Импульсный ток стока (I_DM) | 44 А | | | Сопротивление канала (R_DS(on)) | ≤ 0.51 Ом | При V_GS = 10 В, I_D = 5.5 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 131 Вт | При T_C = 25°C | | Температура перехода (T_J) | -55°C ... +150°C | Рабочий диапазон | | Входная емкость (C_iss) | ~1440 пФ | Типовая | | Время нарастания (t_r) | ~20...70 нс | Зависит от условий | | Время спада (t_f) | ~20...100 нс | Зависит от условий | | Крутизна (g_fs) | ~7 Сим | | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 2.0...4.0 В | | | UL/En | UL-recognized | Сертификация для промышленного применения |

3. Совместимые модели (Аналоги для замены)

На рынке существует множество производителей, выпускающих аналоги с идентичными характеристиками. Внимание: перед заменой важно сравнивать параметры точных корпусов и емкостей затвора (для частотных свойств).

Вот список совместимых моделей от разных производителей:

| Производитель | Оригинальный или прямой аналог | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Onsemi (Fairchild) | FQP11N50 (оригинал) | Можно искать с приставками C (C-FQP11N50) или без. | | ST Micro | STP11NK50Z (обычно ставится как лучший аналог) | | | ST Micro | STP11N50 (Существуют разные версии: "N" или "NK") | | | Infineon | SPW11N50C3 / IRFP11N50 (последний не распространен) | Обычно заменяют на IRF серию. | | Toshiba | 2SK2973 / 2SK3569 (в импортной маркировке) | Устарели, но встречаются. | | Российский | КП751А / КП861 | Форм-фактор и параметры схожие, но перед заменой убедитесь в цоколевке! | | Бюджетный аналог (Китай) | 11N50 (неизвестного производителя) | Лучше ставить оригинал или STP, надежнее. |

4. Парт-номера (Part Numbers)

Для FQP11N50 существует несколько вариаций маркировки, которые встречаются в каталогах:

1. FQP11N50FT — (Заводская маркировка "F" добавляется для Lead-free (безопасная) версия.
2. FQP11N50C — Иногда указывают в старых TI/Würth каталогах, но это не официальное обозначение Fairchild, чаще всего это маркировка, наносимая параллельно на корпусе.
3. FQP11N50CF — То же самое, пересечение 1 и 2.
4. QBGQ11N50 — Это "детская" подделка (клочок подтягивается под Fairchild), будьте осторожны.

Основной парт-номер для заказа: FQP11N50 (Lead-Free версия — FQP11N50FT).

5. Ключевые особенности и применение

Достоинства:

• Высокая скорость переключения (~10 нс). Это отличный показатель для проведения импульсных преобразований частотой до 100-200 кГц.
• Низкое сопротивление по сравнению со своими аналогами своего поколения. Это даёт меньше тепловых потерь.
• Устойчивость к лавинному пробою (энергия кристалла 335 ммДж) — защита от всплесков частично на встроенной DAX технологии.
• Простая схема подбора для базы многих ИИП.

Области применения:

1. Входные каскады (флащерные ключи) импульсных блоков питания (SMPS).
2. Обмотки ИВЭ ЛА для управления соленоидами (мостовые схемы).
3. Преобразователи напряжения (Boost, Buck конëy).
4. Инверторы (блоки питания габаритные).
5. Станки с ЧПУ (приводы).

6. Рекомендации

• Маркировка: Оригинальный прием полностью: маркировка должна быть чистой, лазерная гравировка на восходе нет выфлег на метке — вы можете прочесть шрифт.
• Нагрев: Прямой рассееватель тепла около 131 Вт означает, что при открытии вы сможете легко греть чип баз 35-40 Вт — лучше ставить радиатор большое.
• Аналог для тяжелых условий: Если в вашей схеме часто случаются короткие замыкания или электродинамические нагрузки, STP11NK50Z от ST Micro чуть устойчивее к электрическим выбросам.