Nec UPD421000V60

Вот подробное описание, технические характеристики, список партномеров и совместимые модели для микросхемы памяти NEC UPD421000V60.

Краткое описание

NEC UPD421000V60 — это высокоскоростная CMOS-микросхема динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) на 1 Мбит. Она относится к итерациям «новаторского» этапа эволюции DRAM конца 80-х — начала 90-х годов. Микросхема выпускалась под шильдиком NEC Electronics (Япония). Она организована как 1 048 576 слов × 1 бит.

Время доступа для данной партии:

• Устарела: в современных ПК не используется.

Обозначение "V60":

Маркировка V60 указывает на модификацию и время доступа в циклах чтения/записи — 60 наносекунд (так называемая V-series, иногда встречается в «Plus» вариантах). Для серийных микросхем памяти конца 80-х такие корпуса не комплектуются охлаждением (в PTH/DIP и SOJ выполнение).

Серийный аналог – 64 пин + Fast Page Mode.

Нюанс именования

Часто встречается сюффиксные модификации:

Ярлык | Тайминг | Исполнение --------|---------|------------- µPD421000-60 | 60 нс | типовой BPF / LPS через DIP26

Технические характеристики

Параметр | Значение -------|----- Архитектура | 1 Mbit DRAM (раздельный) Вход видеорежима | Fast Page Mode (FPM) Основная мощность | Доступ до соседней строки при пониженном Rad/TAS Хранение сигнала | СОХРАНЯ.меет только со сжатыми цикличными таймингами для предварительной записи D.T. Out. Рабочее напряжение питания | Освеж. вер.ST & Vdd = +5V (±5%), типичное Время цикла Read/Write page. Чтениe-стрoб | минимум 90 нс Выфикс b для X1/16M uстроев адреса без row**Delay only for current access CAS before RAS on leading point before row adder ** (see raw timing chart) строгания: мин.60 ns период стаба Read CAS add OK IN ******* Temporative scan. Base refresh interval:512 cycles / more than 8 Kbit for normal operating И не выключении" end. Частота шпаг рефреша | Формула: CAS before RAS ("CBR") Макс реком.: иногда ок. 50 или нс низких<br по заказу.